FormulaDen.com

Física Química Mates Ingeniería Química Civil Eléctrico Electrónica Electrónica e instrumentación Ciencia de los Materiales Mecánico Ingeniería de Producción Financiero Salud

Corriente de drenaje general del transistor PMOS Fórmula

IrCorriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS Fórmula

IrCorriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd Fórmula

Fx Copiar

LaTeX Copiar

La corriente de drenaje es la corriente eléctrica que fluye desde el drenaje hasta la fuente de un transistor de efecto de campo (FET) o un transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET). Marque FAQs

I d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2} \cdot (1 + \frac{V DS}{mod} \underset{̲}{u} s (V a))

I_d - Corriente de drenaje?k'_p - Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS?WL - Relación de aspecto?V_GS - Voltaje entre puerta y fuente?V_T - Voltaje de umbral?V_DS - Voltaje entre drenaje y fuente?V_a - Voltaje temprano?

Ejemplo de Corriente de drenaje general del transistor PMOS

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Corriente de drenaje general del transistor PMOS con Valores.

Así es como se ve la ecuación Corriente de drenaje general del transistor PMOS con unidades.

Así es como se ve la ecuación Corriente de drenaje general del transistor PMOS.

30.8336 = \frac{1}{2} \cdot 2.1 \cdot 6 \cdot {(2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45}{mod} \underset{̲}{u} s (50))

30.8336mA = \frac{1}{2} \cdot 2.1mS \cdot 6 \cdot {(2.86V - mod \underset{̲}{u} s (0.7V))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45V}{mod} \underset{̲}{u} s (50V))

30.8336 = \frac{1}{2} \cdot 2.1 \cdot 6 \cdot {(2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45}{mod} \underset{̲}{u} s (50))

Consejo: Utilice el icono de lápiz () de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

Calcular

Recalcular

Solución

Copiar

Reiniciar

Usted está aquí -

Hogar » Ingenieria » Electrónica » Electrónica analógica » Corriente de drenaje general del transistor PMOS

Corriente de drenaje general del transistor PMOS Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Corriente de drenaje general del transistor PMOS?

Primer paso Considere la fórmula

I d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2} \cdot (1 + \frac{V DS}{mod} \underset{̲}{u} s (V a))

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

I d = \frac{1}{2} \cdot 2.1mS \cdot 6 \cdot {(2.86V - mod \underset{̲}{u} s (0.7V))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45V}{mod} \underset{̲}{u} s (50V))

Próximo paso Convertir unidades

∴

I d = \frac{1}{2} \cdot 0.0021S \cdot 6 \cdot {(2.86V - mod \underset{̲}{u} s (0.7V))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45V}{mod} \underset{̲}{u} s (50V))

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

I d = \frac{1}{2} \cdot 0.0021 \cdot 6 \cdot {(2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45}{mod} \underset{̲}{u} s (50))

Próximo paso Evaluar

∴

I d = 0.03083355072A

Próximo paso Convertir a unidad de salida

∴

I d = 30.83355072mA

Último paso Respuesta de redondeo

∴

I d = 30.8336mA

Corriente de drenaje general del transistor PMOS Fórmula Elementos

variables

Funciones

Corriente de drenaje

Símbolo: I_d

Medición: Corriente eléctricaUnidad: mA

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS

El parámetro de transconductancia de proceso en PMOS (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor.

Símbolo: k'_p

Medición: Conductancia eléctricaUnidad: mS

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Relación de aspecto

La relación de aspecto se define como la relación entre el ancho del canal del transistor y su longitud. Es la relación entre el ancho de la puerta y la distancia entre la fuente

Símbolo: WL

Medición: NAUnidad: Unitless

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Voltaje entre puerta y fuente

El voltaje entre la puerta y la fuente de un transistor de efecto de campo (FET) se conoce como voltaje puerta-fuente (VGS). Es un parámetro importante que afecta el funcionamiento del FET.

Símbolo: V_GS

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Voltaje de umbral

El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.

Símbolo: V_T

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Voltaje entre drenaje y fuente

El voltaje entre el drenaje y la fuente es un parámetro clave en el funcionamiento de un transistor de efecto de campo (FET) y, a menudo, se lo denomina "voltaje entre el drenaje y la fuente" o VDS.

Símbolo: V_DS

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Voltaje temprano

El voltaje inicial depende completamente de la tecnología del proceso, con las dimensiones de voltios por micrón.

Símbolo: V_a

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

modulus

El módulo de un número es el resto cuando ese número se divide por otro número.

Sintaxis: modulus

Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta fórmula y 600+ fórmulas más!

Verificado por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta fórmula y 1900+ fórmulas más!

Otras fórmulas para encontrar Corriente de drenaje

Ir Corriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

Ir Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

Otras fórmulas en la categoría Mejora del canal P

Ir Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

Ir Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS dado Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

¿Cómo evaluar Corriente de drenaje general del transistor PMOS?

El evaluador de Corriente de drenaje general del transistor PMOS usa Drain Current = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))^2*(1+Voltaje entre drenaje y fuente/modulus(Voltaje temprano)) para evaluar Corriente de drenaje, La corriente de drenaje total del transistor PMOS, la corriente de drenaje primero aumenta linealmente con el voltaje de drenaje a fuente aplicado, pero luego alcanza un valor máximo. Una capa de agotamiento ubicada en el extremo de drenaje de la puerta acomoda el voltaje adicional de drenaje a fuente. Este comportamiento se conoce como corriente de drenaje. Corriente de drenaje se indica mediante el símbolo I_d.

¿Cómo evaluar Corriente de drenaje general del transistor PMOS usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Corriente de drenaje general del transistor PMOS, ingrese Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS (k'_p), Relación de aspecto (WL), Voltaje entre puerta y fuente (V_GS), Voltaje de umbral (V_T), Voltaje entre drenaje y fuente (V_DS) & Voltaje temprano (V_a) y presione el botón calcular.

FAQs en Corriente de drenaje general del transistor PMOS

¿Cuál es la fórmula para encontrar Corriente de drenaje general del transistor PMOS?

La fórmula de Corriente de drenaje general del transistor PMOS se expresa como Drain Current = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))^2*(1+Voltaje entre drenaje y fuente/modulus(Voltaje temprano)). Aquí hay un ejemplo: 30833.55 = 1/2*0.0021*6*(2.86-modulus(0.7))^2*(1+2.45/modulus(50)).

¿Cómo calcular Corriente de drenaje general del transistor PMOS?

Con Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS (k'_p), Relación de aspecto (WL), Voltaje entre puerta y fuente (V_GS), Voltaje de umbral (V_T), Voltaje entre drenaje y fuente (V_DS) & Voltaje temprano (V_a) podemos encontrar Corriente de drenaje general del transistor PMOS usando la fórmula - Drain Current = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))^2*(1+Voltaje entre drenaje y fuente/modulus(Voltaje temprano)). Esta fórmula también utiliza funciones Módulo (módulo).

¿Cuáles son las otras formas de calcular Corriente de drenaje?

Estas son las diferentes formas de calcular Corriente de drenaje-

Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*((Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))*Voltage between Drain and Source-1/2*(Voltage between Drain and Source)^2)
Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(modulus(Effective Voltage)-1/2*Voltage between Drain and Source)*Voltage between Drain and Source
Drain Current=(Width of Junction*Inversion Layer Charge*Drift Velocity of Inversion)

¿Puede el Corriente de drenaje general del transistor PMOS ser negativo?

No, el Corriente de drenaje general del transistor PMOS, medido en Corriente eléctrica no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Corriente de drenaje general del transistor PMOS?

Corriente de drenaje general del transistor PMOS generalmente se mide usando Miliamperio[mA] para Corriente eléctrica. Amperio[mA], Microamperio[mA], centiamperio[mA] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Corriente de drenaje general del transistor PMOS.

English French German Russian Italian Portuguese Polish Dutch

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Valor
: Unidad

Corriente de drenaje general del transistor PMOS Fórmula

​IrCorriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS Fórmula

​IrCorriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd Fórmula

Ejemplo de Corriente de drenaje general del transistor PMOS

Corriente de drenaje general del transistor PMOS Solución

Corriente de drenaje general del transistor PMOS Fórmula Elementos

Créditos

Otras fórmulas para encontrar Corriente de drenaje

Otras fórmulas en la categoría Mejora del canal P

¿Cómo evaluar Corriente de drenaje general del transistor PMOS?

FAQs en Corriente de drenaje general del transistor PMOS

Variable Name

IrCorriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS Fórmula

IrCorriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd Fórmula