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Seitenverhältnis in MOSFET Formeln
Das Seitenverhältnis ist definiert als das Verhältnis der Breite des Transistorkanals zu seiner Länge. Es ist das Verhältnis der Breite des Tores zum Abstand zwischen der Quelle Und wird durch WL gekennzeichnet.
MOSFET-Formeln, die Seitenverhältnis verwenden
f
x
Drainstrom im Triodenbereich des PMOS-Transistors
ge
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Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd
ge
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Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors
ge
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Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors gegeben Vov
ge
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Gesamt-Drain-Strom des PMOS-Transistors
ge
FAQ
Was ist der Seitenverhältnis?
Das Seitenverhältnis ist definiert als das Verhältnis der Breite des Transistorkanals zu seiner Länge. Es ist das Verhältnis der Breite des Tores zum Abstand zwischen der Quelle
Kann Seitenverhältnis negativ sein?
{YesorNo}, der in {OutputVariableMeasurementName} gemessene Seitenverhältnis kann {CanorCannot} negativ sein.
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