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MOSFET EIN-Verzögerungszeit in Grundlegende Transistorgeräte Formeln

Die MOSFET-EIN-Verzögerungszeit ist definiert als die anfängliche Verzögerung, während der die Eingangskapazität eines MOSFET die Ladung speichert. Und wird durch Td-on gekennzeichnet. MOSFET EIN-Verzögerungszeit wird normalerweise mit Zweite für Zeit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von MOSFET EIN-Verzögerungszeit immer positiv ist.

Grundlegende Transistorgeräte-Formeln, die MOSFET EIN-Verzögerungszeit verwenden

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FAQ

Was ist der MOSFET EIN-Verzögerungszeit?
Die MOSFET-EIN-Verzögerungszeit ist definiert als die anfängliche Verzögerung, während der die Eingangskapazität eines MOSFET die Ladung speichert. MOSFET EIN-Verzögerungszeit wird normalerweise mit Zweite für Zeit gemessen. Beachten Sie, dass der Wert von MOSFET EIN-Verzögerungszeit immer positiv ist.
Kann MOSFET EIN-Verzögerungszeit negativ sein?
NEIN, der in Zeit gemessene MOSFET EIN-Verzögerungszeit kann kann nicht negativ sein.
Welche Einheit wird zum Messen von MOSFET EIN-Verzögerungszeit verwendet?
MOSFET EIN-Verzögerungszeit wird normalerweise mit Zweite[s] für Zeit gemessen. Millisekunde[s], Mikrosekunde[s], Nanosekunde[s] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen MOSFET EIN-Verzögerungszeit gemessen werden kann.
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