FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Общий ток стока транзистора PMOS Формула

ИдтиТок стока в области триода PMOS-транзистора Формула

ИдтиТок стока в области триода PMOS-транзистора с учетом Vsd Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Ток стока — это электрический ток, протекающий от стока к истоку полевого транзистора (FET) или полевого транзистора металл-оксид-полупроводник (MOSFET). Проверьте FAQs

I d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2} \cdot (1 + \frac{V DS}{mod} \underset{̲}{u} s (V a))

I_d - Ток стока?k'_p - Параметр крутизны процесса в PMOS?WL - Соотношение сторон?V_GS - Напряжение между затвором и источником?V_T - Пороговое напряжение?V_DS - Напряжение между стоком и истоком?V_a - Раннее напряжение?

Пример Общий ток стока транзистора PMOS

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Общий ток стока транзистора PMOS выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Общий ток стока транзистора PMOS выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Общий ток стока транзистора PMOS выглядит как.

30.8336 = \frac{1}{2} \cdot 2.1 \cdot 6 \cdot {(2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45}{mod} \underset{̲}{u} s (50))

30.8336mA = \frac{1}{2} \cdot 2.1mS \cdot 6 \cdot {(2.86V - mod \underset{̲}{u} s (0.7V))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45V}{mod} \underset{̲}{u} s (50V))

30.8336 = \frac{1}{2} \cdot 2.1 \cdot 6 \cdot {(2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45}{mod} \underset{̲}{u} s (50))

Кончик: Используйте значок карандаша () выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Аналоговая электроника » Общий ток стока транзистора PMOS

Общий ток стока транзистора PMOS Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Общий ток стока транзистора PMOS?

Первый шаг Рассмотрим формулу

I d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2} \cdot (1 + \frac{V DS}{mod} \underset{̲}{u} s (V a))

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

I d = \frac{1}{2} \cdot 2.1mS \cdot 6 \cdot {(2.86V - mod \underset{̲}{u} s (0.7V))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45V}{mod} \underset{̲}{u} s (50V))

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

I d = \frac{1}{2} \cdot 0.0021S \cdot 6 \cdot {(2.86V - mod \underset{̲}{u} s (0.7V))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45V}{mod} \underset{̲}{u} s (50V))

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

I d = \frac{1}{2} \cdot 0.0021 \cdot 6 \cdot {(2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45}{mod} \underset{̲}{u} s (50))

Следующий шаг Оценивать

∴

I d = 0.03083355072A

Следующий шаг Преобразовать в единицу вывода

∴

I d = 30.83355072mA

Последний шаг Округление ответа

∴

I d = 30.8336mA

Общий ток стока транзистора PMOS Формула Элементы

Переменные

Функции

Ток стока

Ток стока — это электрический ток, протекающий от стока к истоку полевого транзистора (FET) или полевого транзистора металл-оксид-полупроводник (MOSFET).

Символ: I_d

Измерение: Электрический токЕдиница: mA

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Параметр крутизны процесса в PMOS

Параметр крутизны процесса в PMOS (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора.

Символ: k'_p

Измерение: Электрическая проводимостьЕдиница: mS

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Соотношение сторон

Соотношение сторон определяется как отношение ширины канала транзистора к его длине. Это отношение ширины ворот к расстоянию между источником

Символ: WL

Измерение: NAЕдиница: Unitless

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Напряжение между затвором и источником

Напряжение между затвором и истоком полевого транзистора (FET) известно как напряжение затвор-исток (VGS). Это важный параметр, влияющий на работу полевого транзистора.

Символ: V_GS

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Пороговое напряжение

Пороговое напряжение, также известное как пороговое напряжение затвора или просто Vth, является критическим параметром в работе полевых транзисторов, являющихся фундаментальными компонентами современной электроники.

Символ: V_T

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Напряжение между стоком и истоком

Напряжение между стоком и истоком является ключевым параметром в работе полевого транзистора (FET) и часто упоминается как «напряжение сток-исток» или VDS.

Символ: V_DS

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Раннее напряжение

Раннее напряжение полностью зависит от технологического процесса и имеет размеры вольт на микрон.

Символ: V_a

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

modulus

Модуль числа — это остаток от деления этого числа на другое число.

Синтаксис: modulus

Кредиты

Создано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Пользователь Паял Прия создал эту формулу и еще 600+ формул!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Пользователь Урви Ратод проверил эту формулу и ещё 1900+ формул!

Другие формулы для поиска Ток стока

Идти Ток стока в области триода PMOS-транзистора

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

Идти Ток стока в области триода PMOS-транзистора с учетом Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

Другие формулы в категории Улучшение P-канала

Идти Ток стока в области насыщения транзистора PMOS

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

Идти Ток стока в области насыщения PMOS-транзистора с учетом Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

Узнать больше

Как оценить Общий ток стока транзистора PMOS?

Оценщик Общий ток стока транзистора PMOS использует Drain Current = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))^2*(1+Напряжение между стоком и истоком/modulus(Раннее напряжение)) для оценки Ток стока, Общий ток стока PMOS-транзистора, ток стока сначала увеличивается линейно с приложенным напряжением сток-исток, но затем достигает максимального значения. Слой обеднения, расположенный на конце стока затвора, вмещает дополнительное напряжение сток-исток. Такое поведение называется током стока. Ток стока обозначается символом I_d.

Как оценить Общий ток стока транзистора PMOS с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Общий ток стока транзистора PMOS, введите Параметр крутизны процесса в PMOS (k'_p), Соотношение сторон (WL), Напряжение между затвором и источником (V_GS), Пороговое напряжение (V_T), Напряжение между стоком и истоком (V_DS) & Раннее напряжение (V_a) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Общий ток стока транзистора PMOS

По какой формуле можно найти Общий ток стока транзистора PMOS?

Формула Общий ток стока транзистора PMOS выражается как Drain Current = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))^2*(1+Напряжение между стоком и истоком/modulus(Раннее напряжение)). Вот пример: 30833.55 = 1/2*0.0021*6*(2.86-modulus(0.7))^2*(1+2.45/modulus(50)).

Как рассчитать Общий ток стока транзистора PMOS?

С помощью Параметр крутизны процесса в PMOS (k'_p), Соотношение сторон (WL), Напряжение между затвором и источником (V_GS), Пороговое напряжение (V_T), Напряжение между стоком и истоком (V_DS) & Раннее напряжение (V_a) мы можем найти Общий ток стока транзистора PMOS, используя формулу - Drain Current = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))^2*(1+Напряжение между стоком и истоком/modulus(Раннее напряжение)). В этой формуле также используются функции Модуль (модуль).

Какие еще способы расчета Ток стока?

Вот различные способы расчета Ток стока-

Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*((Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))*Voltage between Drain and Source-1/2*(Voltage between Drain and Source)^2)
Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(modulus(Effective Voltage)-1/2*Voltage between Drain and Source)*Voltage between Drain and Source
Drain Current=(Width of Junction*Inversion Layer Charge*Drift Velocity of Inversion)

Может ли Общий ток стока транзистора PMOS быть отрицательным?

Нет, Общий ток стока транзистора PMOS, измеренная в Электрический ток не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Общий ток стока транзистора PMOS?

Общий ток стока транзистора PMOS обычно измеряется с использованием Миллиампер[mA] для Электрический ток. Ампер[mA], микроампер[mA], сантиампер[mA] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Общий ток стока транзистора PMOS.

English Spanish French German Italian Portuguese Polish Dutch

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

Общий ток стока транзистора PMOS Формула

​ИдтиТок стока в области триода PMOS-транзистора Формула

​ИдтиТок стока в области триода PMOS-транзистора с учетом Vsd Формула

Пример Общий ток стока транзистора PMOS

Общий ток стока транзистора PMOS Решение

Общий ток стока транзистора PMOS Формула Элементы

Кредиты

Другие формулы для поиска Ток стока

Другие формулы в категории Улучшение P-канала

Как оценить Общий ток стока транзистора PMOS?

FAQs на Общий ток стока транзистора PMOS

Variable Name

ИдтиТок стока в области триода PMOS-транзистора Формула

ИдтиТок стока в области триода PMOS-транзистора с учетом Vsd Формула