Плотность тока насыщения
Плотность тока насыщения — это ток, протекающий на единицу площади pn-перехода, когда к переходу приложено обратное смещение в несколько вольт.
Символ: J0
Измерение: Поверхностная плотность токаЕдиница: A/m²
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Коэффициент диффузии отверстия
Коэффициент диффузии дырки является мерой легкости движения дырки через кристаллическую решетку. Это связано с подвижностью носителя, в данном случае дырки.
Символ: Dh
Измерение: диффузияЕдиница: m²/s
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Диффузионная длина отверстия
Диффузионная длина дырки — это характерное расстояние, которое проходят дырки перед рекомбинацией в процессе диффузии.
Символ: Lh
Измерение: ДлинаЕдиница: mm
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Концентрация дырок в n-области
Концентрация дырок в n-области — это количество дырок на единицу объема в легированной области n-типа pn-перехода.
Символ: pn
Измерение: Концентрация носителяЕдиница: 1/m³
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Коэффициент диффузии электронов
Коэффициент диффузии электронов является мерой легкости движения электронов через кристаллическую решетку. Это связано с подвижностью носителя, в данном случае электрона.
Символ: DE
Измерение: диффузияЕдиница: m²/s
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Диффузионная длина электрона
Диффузионная длина электрона — это характерное расстояние, которое проходят электроны перед рекомбинацией в процессе диффузии.
Символ: Le
Измерение: ДлинаЕдиница: mm
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Концентрация электронов в p-области
Концентрация электронов в p-области — это количество электронов на единицу объема в легированной области p-типа pn-перехода.
Символ: np
Измерение: Концентрация носителяЕдиница: 1/m³
Примечание: Значение должно быть больше 0.