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Fórmula Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI

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A densidade de carga da região de esgotamento em massa é definida como a carga elétrica por unidade de área associada à região de esgotamento na massa de um dispositivo semicondutor. Verifique FAQs

Q B0 = - (1 - (\frac{ΔL s + ΔL D}{2 \cdot L})) \cdot \sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot N A \cdot | 2 \cdot Φ s |}

Q_B0 - Densidade de carga da região de esgotamento em massa?ΔL_s - Extensão lateral da região de esgotamento com fonte?ΔL_D - Extensão Lateral da Região de Esgotamento com Dreno?L - Comprimento do canal?N_A - Concentração do aceitante?Φ_s - Potencial de Superfície?[Charge-e] - Carga do elétron?[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício?[Permitivity-vacuum] - Permissividade do vácuo?

Exemplo de Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI com valores.

Esta é a aparência da equação Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI com unidades.

Esta é a aparência da equação Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI.

-0.2006 = - (1 - (\frac{0.1 + 0.2}{2 \cdot 2.5})) \cdot \sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 1E+16 \cdot | 2 \cdot 6.86 |}

-0.2006μC/cm² = - (1 - (\frac{0.1μm + 0.2μm}{2 \cdot 2.5μm})) \cdot \sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1E+161/cm³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |}

-0.2006 = - (1 - (\frac{0.1 + 0.2}{2 \cdot 2.5})) \cdot \sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 1E+16 \cdot | 2 \cdot 6.86 |}

Dica: Use o ícone de lápis () acima para editar valores de entrada e unidades.

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Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI?

Primeiro passo Considere a fórmula

Q B0 = - (1 - (\frac{ΔL s + ΔL D}{2 \cdot L})) \cdot \sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot N A \cdot | 2 \cdot Φ s |}

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

Q B0 = - (1 - (\frac{0.1μm + 0.2μm}{2 \cdot 2.5μm})) \cdot \sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot 1E+161/cm³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |}

Próxima Etapa Valores substitutos de constantes

∴

Q B0 = - (1 - (\frac{0.1μm + 0.2μm}{2 \cdot 2.5μm})) \cdot \sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1E+161/cm³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |}

Próxima Etapa Converter unidades

∴

Q B0 = - (1 - (\frac{1E-7m + 2E-7m}{2 \cdot 2.5E-6m})) \cdot \sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1E+221/m³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |}

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

Q B0 = - (1 - (\frac{1E-7 + 2E-7}{2 \cdot 2.5E-6})) \cdot \sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 1E+22 \cdot | 2 \cdot 6.86 |}

Próxima Etapa Avalie

∴

Q B0 = -0.00200557851391776C/m²

Próxima Etapa Converter para unidade de saída

∴

Q B0 = -0.200557851391776μC/cm²

Último passo Resposta de arredondamento

∴

Q B0 = -0.2006μC/cm²

Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI Fórmula Elementos

Variáveis

Constantes

Funções

Densidade de carga da região de esgotamento em massa

A densidade de carga da região de esgotamento em massa é definida como a carga elétrica por unidade de área associada à região de esgotamento na massa de um dispositivo semicondutor.

Símbolo: Q_B0

Medição: Densidade de Carga SuperficialUnidade: μC/cm²

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Extensão lateral da região de esgotamento com fonte

Extensão lateral da região de esgotamento com fonte a distância horizontal através da qual a região de esgotamento se estende lateralmente a partir do terminal de fonte em um dispositivo semicondutor.

Símbolo: ΔL_s

Medição: ComprimentoUnidade: μm