Fattore di rumore
Il fattore di rumore è una misura di quanto un dispositivo degrada il rapporto segnale-rumore (SNR) di un segnale mentre lo attraversa.
Simbolo: NF
Misurazione: SuonoUnità: dB
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Frequenza angolare
La frequenza angolare si riferisce alla velocità con cui una forma d'onda sinusoidale oscilla nel contesto di circuiti e segnali elettrici.
Simbolo: ω
Misurazione: Frequenza angolareUnità: rad/s
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Capacità della sorgente di gate
La capacità di gate source si riferisce alla capacità tra i terminali di gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET).
Simbolo: Cgs
Misurazione: CapacitàUnità: μF
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Transconduttanza del MESFET
La transconduttanza del MESFET è un parametro chiave nei MESFET, che rappresenta la variazione della corrente di drain rispetto alla variazione della tensione gate-source.
Simbolo: Gm
Misurazione: Conduttanza elettricaUnità: S
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Resistenza alla fonte
La resistenza della sorgente si riferisce alla resistenza associata al terminale sorgente del transistor.
Simbolo: Rs
Misurazione: Resistenza elettricaUnità: Ω
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Resistenza al cancello
La resistenza di gate si riferisce alla resistenza associata al terminale di gate di un transistor ad effetto di campo (FET).
Simbolo: Rgate
Misurazione: Resistenza elettricaUnità: Ω
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Resistenza in ingresso
La resistenza di ingresso si riferisce alla resistenza presentata al terminale di ingresso del dispositivo.
Simbolo: Ri
Misurazione: Resistenza elettricaUnità: Ω
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.