Емкость перехода
Емкость перехода определяется как емкость, которая образуется в диоде с PN-переходом при обратном смещении.
Символ: Cj
Измерение: ЕмкостьЕдиница: μF
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Зона соединения
Область перехода — это граница или область интерфейса между двумя типами полупроводниковых материалов в p-n-диоде.
Символ: Aj
Измерение: ОбластьЕдиница: µm²
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Смещение постоянной длины
Смещение постоянной длины относится к фиксированной или постоянной настройке, которая добавляется или вычитается из измеренной или заданной длины.
Символ: k
Измерение: ДлинаЕдиница: μm
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Легирующая концентрация основания
Концентрация легирования основания представляет собой количество примесей, добавленных к основанию.
Символ: NB
Измерение: Концентрация носителяЕдиница: 1/m³
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Напряжение источника
Напряжение источника — это разница электрических потенциалов между двумя точками, которая определяется как работа, необходимая на единицу заряда для перемещения пробного заряда между двумя точками.
Символ: V
Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V
Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.
Напряжение источника 1
Напряжение источника 1 — это давление источника питания электрической цепи, которое проталкивает заряженные электроны (ток) через проводящую петлю, позволяя им выполнять работу, например, освещать свет.
Символ: V1
Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V
Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.