Емкость перехода с нулевым смещением
Емкость перехода с нулевым смещением относится к внутреннему потенциалу полупроводникового перехода, когда к нему не приложено внешнее напряжение (смещение).
Символ: Cj0
Измерение: ЕмкостьЕдиница: F
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Диэлектрическая проницаемость кремния
Диэлектрическая проницаемость кремния — это свойство материала, которое описывает, как материал реагирует на электрическое поле.
Символ: εsi
Измерение: Разрешающая способностьЕдиница: F/m
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Легирующая концентрация акцептора
Легирующая концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцептора, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.
Символ: NA
Измерение: Электронная плотностьЕдиница: electrons/cm³
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Допинговая концентрация донора
Легирующая концентрация донора относится к концентрации донорных атомов, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.
Символ: ND
Измерение: Электронная плотностьЕдиница: electrons/cm³
Примечание: Значение должно быть больше 0.
Встроенный потенциал соединения
Встроенный потенциал перехода — это разность потенциалов или напряжение, которое существует на полупроводниковом переходе, когда он не подключен к внешнему источнику напряжения.
Символ: Φo
Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V
Примечание: Значение должно быть больше 0.