FormulaDen.com

भौतिकशास्त्र रसायनशास्त्र गणित रासायनिक अभियांत्रिकी दिवाणी विद्युत इलेक्ट्रॉनिक्स इलेक्ट्रॉनिक्स आणि इन्स्ट्रुमेंटेशन पदार्थ विज्ञान यांत्रिकी उत्पादन अभियांत्रिकी आर्थिक आरोग्य

संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल सूत्र

Fx कॉपी करा

LaTeX कॉपी करा

सॅच्युरेशन ड्रेन करंटची व्याख्या सबथ्रेशोल्ड करंट म्हणून केली जाते आणि गेट टू सोर्स व्होल्टेजपर्यंत वेगाने बदलते. FAQs तपासा

i ds = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot {(V ov)}^{2}

i_ds - संपृक्तता निचरा वर्तमान?k'_n - प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर?W_c - चॅनेलची रुंदी?L - चॅनेलची लांबी?V_ov - प्रभावी व्होल्टेज?

संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल उदाहरण

मूल्यांसह

युनिट्ससह

फक्त उदाहरण

संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल समीकरण मूल्यांसह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल समीकरण युनिट्ससह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल समीकरण सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

4.7249 = \frac{1}{2} \cdot 0.2 \cdot (\frac{10.15}{3.25}) \cdot {(0.123)}^{2}

4.7249mA = \frac{1}{2} \cdot 0.2A/V² \cdot (\frac{10.15μm}{3.25μm}) \cdot {(0.123V)}^{2}

4.7249 = \frac{1}{2} \cdot 0.2 \cdot (\frac{10.15}{3.25}) \cdot {(0.123)}^{2}

टीप: इनपुट मूल्ये आणि युनिट्स संपादित करण्यासाठी वरील पेन्सिल ( Pencil

) चिन्ह वापरा.

गणना करा

पुनर्गणना करा

उपाय

कॉपी करा

रीसेट करा

शेअर करा

आपण येथे आहात -

मुख्यपृष्ठ » Category

अभियांत्रिकी » Category

इलेक्ट्रॉनिक्स » Category

अॅम्प्लीफायर » fx संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल

संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल उपाय

संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल ची गणना कशी करायची यावर आमचे चरण-दर-चरण उपाय फॉलो करा?

पहिली पायरी सूत्राचा विचार करा

i ds = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot {(V ov)}^{2}

पुढचे पाऊल व्हेरिएबल्सची पर्यायी मूल्ये

∴

i ds = \frac{1}{2} \cdot 0.2A/V² \cdot (\frac{10.15μm}{3.25μm}) \cdot {(0.123V)}^{2}

पुढचे पाऊल युनिट्स रूपांतरित करा

∴

i ds = \frac{1}{2} \cdot 0.2A/V² \cdot (\frac{1E-5m}{3.3E-6m}) \cdot {(0.123V)}^{2}

पुढचे पाऊल मूल्यांकन करण्याची तयारी करा

∴

i ds = \frac{1}{2} \cdot 0.2 \cdot (\frac{1E-5}{3.3E-6}) \cdot {(0.123)}^{2}

पुढचे पाऊल मूल्यांकन करा

∴

i ds = 0.00472490307692308A

पुढचे पाऊल आउटपुट युनिटमध्ये रूपांतरित करा

∴

i ds = 4.72490307692308mA

शेवटची पायरी गोलाकार उत्तर

∴

i ds = 4.7249mA

संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल सुत्र घटक

चल

संपृक्तता निचरा वर्तमान

सॅच्युरेशन ड्रेन करंटची व्याख्या सबथ्रेशोल्ड करंट म्हणून केली जाते आणि गेट टू सोर्स व्होल्टेजपर्यंत वेगाने बदलते.

चिन्ह: i_ds

मोजमाप: विद्युतप्रवाहयुनिट: mA

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

संपृक्तता निचरा वर्तमान शोधण्यासाठी सूत्रे

प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर

प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर हे चॅनेल आणि ऑक्साइड कॅपेसिटन्समधील इलेक्ट्रॉनच्या गतिशीलतेचे उत्पादन आहे.

चिन्ह: k'_n

मोजमाप: ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटरयुनिट: A/V²

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर शोधण्यासाठी सूत्रे

चॅनेलची रुंदी

चॅनेलची रुंदी ही MOSFET च्या चॅनेलची परिमाणे आहे.

चिन्ह: W_c

मोजमाप: लांबीयुनिट: μm

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

चॅनेलची रुंदी शोधण्यासाठी सूत्रे

चॅनेलची लांबी

वाहिनीची लांबी, L, जे दोन -p जंक्शनमधील अंतर आहे.

चिन्ह: L

मोजमाप: लांबीयुनिट: μm

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

चॅनेलची लांबी शोधण्यासाठी सूत्रे

प्रभावी व्होल्टेज

प्रभावी व्होल्टेज किंवा ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज हे ऑक्साइड ओलांडून थर्मल व्होल्टेजपेक्षा जास्त व्होल्टेज म्हणतात.

चिन्ह: V_ov

मोजमाप: विद्युत क्षमतायुनिट: V

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

प्रभावी व्होल्टेज शोधण्यासाठी सूत्रे

जमा

यांनी तयार केले पायल प्रिया

बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी

पायल प्रिया ने हे सूत्र आणि 600+ आणखी सूत्रे तयार केली आहेत!

यांनी सत्यापित केले उर्वी राठोड

विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठोड ने हे सूत्र आणि आणखी 1900+ सूत्रे सत्यापित केली आहेत!

ट्रान्झिस्टर अॅम्प्लीफायर वैशिष्ट्ये वर्गातील इतर सूत्रे

जा एकूण तात्काळ ड्रेन व्होल्टेज

V d = V fc - R d \cdot i d

जा ऑक्साइड व्होल्टेज दिलेल्या ट्रान्झिस्टरमध्ये प्रेरित चॅनेलमधून प्रवाह

i o = (μ e \cdot C ox \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot (V ox - V t)) \cdot V ds

जा ट्रान्झिस्टरमध्ये इनपुट व्होल्टेज

V fc = R d \cdot i d - V d

जा ट्रान्झिस्टर अॅम्प्लीफायरची चाचणी करंट

i x = \frac{V x}{R in}

अजून पहा

संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल चे मूल्यमापन कसे करावे?

संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल मूल्यांकनकर्ता संपृक्तता निचरा वर्तमान, संपृक्ततेच्या वेळी एमओएसएफईटीचे सध्याचे प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल म्हणजे थ्रेशोल्ड व्होल्टेजच्या खाली असलेल्या ड्रेन प्रवाहला सबथ्रेशोल्ड वर्तमान म्हणून परिभाषित केले जाते आणि व्हीजीएस सह वेगाने बदलते. लॉगच्या उतार (पारंपारिक) विरूद्ध चे मूल्यमापन करण्यासाठी Saturation Drain Current = 1/2*प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*(चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी)*(प्रभावी व्होल्टेज)^2 वापरतो. संपृक्तता निचरा वर्तमान हे i_ds चिन्हाने दर्शविले जाते.

हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता वापरून संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल चे मूल्यमापन कसे करायचे? हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल साठी वापरण्यासाठी, प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर (k'_n), चॅनेलची रुंदी (W_c), चॅनेलची लांबी (L) & प्रभावी व्होल्टेज (V_ov) प्रविष्ट करा आणि गणना बटण दाबा.

FAQs वर संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल

संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल शोधण्याचे सूत्र काय आहे?

संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल चे सूत्र Saturation Drain Current = 1/2*प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*(चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी)*(प्रभावी व्होल्टेज)^2 म्हणून व्यक्त केले आहे. येथे एक उदाहरण आहे- 4724.903 = 1/2*0.2*(1.015E-05/3.25E-06)*(0.123)^2.

संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल ची गणना कशी करायची?

प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर (k'_n), चॅनेलची रुंदी (W_c), चॅनेलची लांबी (L) & प्रभावी व्होल्टेज (V_ov) सह आम्ही सूत्र - Saturation Drain Current = 1/2*प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*(चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी)*(प्रभावी व्होल्टेज)^2 वापरून संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल शोधू शकतो.

संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल नकारात्मक असू शकते का?

नाही, संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल, विद्युतप्रवाह मध्ये मोजलेले करू शकत नाही ऋण असू शकते.

संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल मोजण्यासाठी कोणते एकक वापरले जाते?

संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल हे सहसा विद्युतप्रवाह साठी मिलीअँपिअर[mA] वापरून मोजले जाते. अँपिअर[mA], मायक्रोअँपीअर[mA], सेंटीअँपियर[mA] ही काही इतर एकके आहेत ज्यात संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल मोजता येतात.

English Spanish French German Russian Italian Portuguese Polish Dutch

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: मूल्य
: युनिट

संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल सूत्र

संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल उदाहरण

संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल उपाय

संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल सुत्र घटक

जमा

ट्रान्झिस्टर अॅम्प्लीफायर वैशिष्ट्ये वर्गातील इतर सूत्रे

संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल चे मूल्यमापन कसे करावे?

FAQs वर संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल

Variable Name