FormulaDen.com

भौतिकशास्त्र रसायनशास्त्र गणित रासायनिक अभियांत्रिकी दिवाणी विद्युत इलेक्ट्रॉनिक्स इलेक्ट्रॉनिक्स आणि इन्स्ट्रुमेंटेशन पदार्थ विज्ञान यांत्रिकी उत्पादन अभियांत्रिकी आर्थिक आरोग्य

स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली सूत्र

Fx कॉपी करा

LaTeX कॉपी करा

जेव्हा गेट टर्मिनलवर व्होल्टेज लागू केला जातो तेव्हा स्त्रोत टर्मिनलच्या जवळचा क्षीणता प्रदेश तयार होतो. FAQs तपासा

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot Φ o}{[Charge-e] \cdot N A}}

x_dS - स्त्रोताची खोली कमी होण्याच्या प्रदेशाची?Φ_o - जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले?N_A - स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता?[Permitivity-silicon] - सिलिकॉनची परवानगी?[Charge-e] - इलेक्ट्रॉनचा चार्ज?

स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली उदाहरण

मूल्यांसह

युनिट्ससह

फक्त उदाहरण

स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली समीकरण मूल्यांसह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली समीकरण युनिट्ससह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली समीकरण सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

1.5E+7 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

1.5E+7m = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2V}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

1.5E+7 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

टीप: इनपुट मूल्ये आणि युनिट्स संपादित करण्यासाठी वरील पेन्सिल ( Pencil

) चिन्ह वापरा.

गणना करा

पुनर्गणना करा

उपाय

कॉपी करा

रीसेट करा

शेअर करा

आपण येथे आहात -

मुख्यपृष्ठ » Category

अभियांत्रिकी » Category

इलेक्ट्रॉनिक्स » Category

अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » fx स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली

स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली उपाय

स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली ची गणना कशी करायची यावर आमचे चरण-दर-चरण उपाय फॉलो करा?

पहिली पायरी सूत्राचा विचार करा

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot Φ o}{[Charge-e] \cdot N A}}

पुढचे पाऊल व्हेरिएबल्सची पर्यायी मूल्ये

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot 2V}{[Charge-e] \cdot 1.32electrons/cm³}}

पुढचे पाऊल स्थिरांकांची मूल्ये बदला

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2V}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

पुढचे पाऊल युनिट्स रूपांतरित करा

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2V}{1.6E-19C \cdot 1.3E+6electrons/m³}}

पुढचे पाऊल मूल्यांकन करण्याची तयारी करा

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2}{1.6E-19 \cdot 1.3E+6}}

पुढचे पाऊल मूल्यांकन करा

∴

x dS = 14875814.9060508m

शेवटची पायरी गोलाकार उत्तर

∴

x dS = 1.5E+7m

स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली सुत्र घटक

चल

स्थिरांक

कार्ये

स्त्रोताची खोली कमी होण्याच्या प्रदेशाची

जेव्हा गेट टर्मिनलवर व्होल्टेज लागू केला जातो तेव्हा स्त्रोत टर्मिनलच्या जवळचा क्षीणता प्रदेश तयार होतो.

चिन्ह: x_dS

मोजमाप: लांबीयुनिट: m

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

स्त्रोताची खोली कमी होण्याच्या प्रदेशाची शोधण्यासाठी सूत्रे

जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले

बिल्ट इन जंक्शन पोटेंशियल म्हणजे बाह्य व्होल्टेज स्त्रोताशी कनेक्ट केलेले नसताना अर्धसंवाहक जंक्शनवर अस्तित्वात असलेल्या संभाव्य फरक किंवा व्होल्टेजचा संदर्भ देते.

चिन्ह: Φ_o

मोजमाप: विद्युत क्षमतायुनिट: V

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले शोधण्यासाठी सूत्रे

स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता

डोपिंग कॉन्सन्ट्रेशन ऑफ ॲसेप्टर म्हणजे सेमीकंडक्टर मटेरियलमध्ये जाणूनबुजून जोडलेल्या स्वीकर अणूंच्या एकाग्रतेचा संदर्भ देते.

चिन्ह: N_A

मोजमाप: इलेक्ट्रॉन घनतायुनिट: electrons/cm³

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता शोधण्यासाठी सूत्रे

सिलिकॉनची परवानगी

सिलिकॉनची परवानगी विद्युत क्षेत्रामध्ये विद्युत ऊर्जा संचयित करण्याची क्षमता मोजते, सेमीकंडक्टर तंत्रज्ञानामध्ये महत्त्वपूर्ण आहे.

चिन्ह: [Permitivity-silicon]

मूल्य: 11.7

इलेक्ट्रॉनचा चार्ज

इलेक्ट्रॉनचा चार्ज हा एक मूलभूत भौतिक स्थिरांक आहे, जो इलेक्ट्रॉनद्वारे वाहून घेतलेल्या विद्युत शुल्काचे प्रतिनिधित्व करतो, जो ऋणात्मक विद्युत शुल्कासह प्राथमिक कण आहे.

चिन्ह: [Charge-e]

मूल्य: 1.60217662E-19 C

sqrt

स्क्वेअर रूट फंक्शन हे एक फंक्शन आहे जे इनपुट म्हणून नॉन-ऋणात्मक संख्या घेते आणि दिलेल्या इनपुट नंबरचे वर्गमूळ परत करते.

मांडणी: sqrt(Number)

जमा

यांनी तयार केले बानू प्रकाश

दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर

बानू प्रकाश ने हे सूत्र आणि 50+ आणखी सूत्रे तयार केली आहेत!

यांनी सत्यापित केले दिपांजोना मल्लिक

हेरिटेज इन्स्टिट्यूट ऑफ टेक्नॉलॉजी (HITK), कोलकाता

दिपांजोना मल्लिक ने हे सूत्र आणि आणखी 50+ सूत्रे सत्यापित केली आहेत!

एमओएस ट्रान्झिस्टर वर्गातील इतर सूत्रे

जा शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स प्रति युनिट लांबी

C jsw = C j0sw \cdot x j

जा समतुल्य मोठे सिग्नल जंक्शन कॅपेसिटन्स

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

जा पी प्रकारासाठी फर्मी पोटेंशियल

Φ Fp = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{n i}{N A})

जा साइडवॉल व्होल्टेज समतुल्यता घटक

K eq(sw) = - (2 \cdot \frac{\sqrt{Φ osw}}{V 2 - V 1} \cdot (\sqrt{Φ osw - V 2} - \sqrt{Φ osw - V 1}))

अजून पहा

स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली चे मूल्यमापन कसे करावे?

स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली मूल्यांकनकर्ता स्त्रोताची खोली कमी होण्याच्या प्रदेशाची, डेप्थ ऑफ डेप्थ ऑफ डेप्थ रीजन असोसिएटेड सोर्स फॉर्म्युला अशी व्याख्या केली जाते जेव्हा गेट टर्मिनलवर व्होल्टेज लागू केला जातो तेव्हा स्त्रोत टर्मिनलच्या जवळ क्षीणता प्रदेश तयार होतो चे मूल्यमापन करण्यासाठी Source's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले)/([Charge-e]*स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता)) वापरतो. स्त्रोताची खोली कमी होण्याच्या प्रदेशाची हे x_dS चिन्हाने दर्शविले जाते.

हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता वापरून स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली चे मूल्यमापन कसे करायचे? हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली साठी वापरण्यासाठी, जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले (Φ_o) & स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता (N_A) प्रविष्ट करा आणि गणना बटण दाबा.

FAQs वर स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली

स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली शोधण्याचे सूत्र काय आहे?

स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली चे सूत्र Source's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले)/([Charge-e]*स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता)) म्हणून व्यक्त केले आहे. येथे एक उदाहरण आहे- 1.5E+7 = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*1320000)).

स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली ची गणना कशी करायची?

जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले (Φ_o) & स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता (N_A) सह आम्ही सूत्र - Source's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले)/([Charge-e]*स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता)) वापरून स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली शोधू शकतो. हे सूत्र सिलिकॉनची परवानगी, इलेक्ट्रॉनचा चार्ज स्थिर(चे) आणि स्क्वेअर रूट (sqrt) फंक्शन(s) देखील वापरते.

स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली नकारात्मक असू शकते का?

नाही, स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली, लांबी मध्ये मोजलेले करू शकत नाही ऋण असू शकते.

स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली मोजण्यासाठी कोणते एकक वापरले जाते?

स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली हे सहसा लांबी साठी मीटर[m] वापरून मोजले जाते. मिलिमीटर[m], किलोमीटर[m], डेसिमीटर[m] ही काही इतर एकके आहेत ज्यात स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली मोजता येतात.

English Spanish French German Russian Italian Portuguese Polish Dutch

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली सूत्र

स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली उदाहरण

स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली उपाय

स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली सुत्र घटक

जमा

एमओएस ट्रान्झिस्टर वर्गातील इतर सूत्रे

स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली चे मूल्यमापन कसे करावे?

FAQs वर स्त्रोताशी संबंधित क्षय प्रदेशाची खोली

Variable Name