FormulaDen.com

भौतिकशास्त्र रसायनशास्त्र गणित रासायनिक अभियांत्रिकी दिवाणी विद्युत इलेक्ट्रॉनिक्स इलेक्ट्रॉनिक्स आणि इन्स्ट्रुमेंटेशन पदार्थ विज्ञान यांत्रिकी उत्पादन अभियांत्रिकी आर्थिक आरोग्य

क्षीणता प्रदेशात बिल्ट इन पोटेंशियल सूत्र

Fx कॉपी करा

LaTeX कॉपी करा

बिल्ट इन व्होल्टेज हे एक वैशिष्ट्यपूर्ण व्होल्टेज आहे जे अर्धसंवाहक उपकरणावर अस्तित्वात आहे. FAQs तपासा

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot Φ f)})

Φ_B0 - व्होल्टेजमध्ये बिल्ट?N_A - स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता?Φ_f - बल्क फर्मी पोटेंशियल?[Charge-e] - इलेक्ट्रॉनचा चार्ज?[Permitivity-silicon] - सिलिकॉनची परवानगी?

क्षीणता प्रदेशात बिल्ट इन पोटेंशियल उदाहरण

मूल्यांसह

युनिट्ससह

फक्त उदाहरण

क्षीणता प्रदेशात बिल्ट इन पोटेंशियल समीकरण मूल्यांसह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

क्षीणता प्रदेशात बिल्ट इन पोटेंशियल समीकरण युनिट्ससह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

क्षीणता प्रदेशात बिल्ट इन पोटेंशियल समीकरण सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

-1.6E-6 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.32 \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25)})

-1.6E-6V = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25V)})

-1.6E-6 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.32 \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25)})

टीप: इनपुट मूल्ये आणि युनिट्स संपादित करण्यासाठी वरील पेन्सिल ( Pencil

) चिन्ह वापरा.

गणना करा

पुनर्गणना करा

उपाय

कॉपी करा

रीसेट करा

शेअर करा

आपण येथे आहात -

मुख्यपृष्ठ » Category

अभियांत्रिकी » Category

इलेक्ट्रॉनिक्स » Category

अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » fx क्षीणता प्रदेशात बिल्ट इन पोटेंशियल

क्षीणता प्रदेशात बिल्ट इन पोटेंशियल उपाय

क्षीणता प्रदेशात बिल्ट इन पोटेंशियल ची गणना कशी करायची यावर आमचे चरण-दर-चरण उपाय फॉलो करा?

पहिली पायरी सूत्राचा विचार करा

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot Φ f)})

पुढचे पाऊल व्हेरिएबल्सची पर्यायी मूल्ये

∴

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25V)})

पुढचे पाऊल स्थिरांकांची मूल्ये बदला

∴

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25V)})

पुढचे पाऊल युनिट्स रूपांतरित करा

∴

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.3E+6electrons/m³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25V)})

पुढचे पाऊल मूल्यांकन करण्याची तयारी करा

∴

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.3E+6 \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25)})

पुढचे पाऊल मूल्यांकन करा

∴

Φ B0 = -1.57302306783086E-06V

शेवटची पायरी गोलाकार उत्तर

∴

Φ B0 = -1.6E-6V

क्षीणता प्रदेशात बिल्ट इन पोटेंशियल सुत्र घटक

चल

स्थिरांक

कार्ये

व्होल्टेजमध्ये बिल्ट

बिल्ट इन व्होल्टेज हे एक वैशिष्ट्यपूर्ण व्होल्टेज आहे जे अर्धसंवाहक उपकरणावर अस्तित्वात आहे.

चिन्ह: Φ_B0

मोजमाप: विद्युत क्षमतायुनिट: V

नोंद: मूल्य सकारात्मक किंवा नकारात्मक असू शकते.

व्होल्टेजमध्ये बिल्ट शोधण्यासाठी सूत्रे

स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता

डोपिंग कॉन्सन्ट्रेशन ऑफ ॲसेप्टर म्हणजे सेमीकंडक्टर मटेरियलमध्ये जाणूनबुजून जोडलेल्या स्वीकर अणूंच्या एकाग्रतेचा संदर्भ देते.

चिन्ह: N_A

मोजमाप: इलेक्ट्रॉन घनतायुनिट: electrons/cm³

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता शोधण्यासाठी सूत्रे

बल्क फर्मी पोटेंशियल

बल्क फर्मी पोटेंशियल हे एक पॅरामीटर आहे जे सेमीकंडक्टर सामग्रीच्या मोठ्या प्रमाणात (इंटिरिअर) इलेक्ट्रोस्टॅटिक संभाव्यतेचे वर्णन करते.

चिन्ह: Φ_f

मोजमाप: विद्युत क्षमतायुनिट: V

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

बल्क फर्मी पोटेंशियल शोधण्यासाठी सूत्रे

इलेक्ट्रॉनचा चार्ज

इलेक्ट्रॉनचा चार्ज हा एक मूलभूत भौतिक स्थिरांक आहे, जो इलेक्ट्रॉनद्वारे वाहून घेतलेल्या विद्युत शुल्काचे प्रतिनिधित्व करतो, जो ऋणात्मक विद्युत शुल्कासह प्राथमिक कण आहे.

चिन्ह: [Charge-e]

मूल्य: 1.60217662E-19 C

सिलिकॉनची परवानगी

सिलिकॉनची परवानगी विद्युत क्षेत्रामध्ये विद्युत ऊर्जा संचयित करण्याची क्षमता मोजते, सेमीकंडक्टर तंत्रज्ञानामध्ये महत्त्वपूर्ण आहे.

चिन्ह: [Permitivity-silicon]

मूल्य: 11.7

sqrt

स्क्वेअर रूट फंक्शन हे एक फंक्शन आहे जे इनपुट म्हणून नॉन-ऋणात्मक संख्या घेते आणि दिलेल्या इनपुट नंबरचे वर्गमूळ परत करते.

मांडणी: sqrt(Number)

modulus

जेव्हा ती संख्या दुसऱ्या संख्येने भागली जाते तेव्हा संख्येचे मापांक उरते.

मांडणी: modulus

जमा

यांनी तयार केले बानू प्रकाश

दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर

बानू प्रकाश ने हे सूत्र आणि 50+ आणखी सूत्रे तयार केली आहेत!

यांनी सत्यापित केले दिपांजोना मल्लिक

हेरिटेज इन्स्टिट्यूट ऑफ टेक्नॉलॉजी (HITK), कोलकाता

दिपांजोना मल्लिक ने हे सूत्र आणि आणखी 50+ सूत्रे सत्यापित केली आहेत!

एमओएस ट्रान्झिस्टर वर्गातील इतर सूत्रे

जा शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स प्रति युनिट लांबी

C jsw = C j0sw \cdot x j

जा समतुल्य मोठे सिग्नल जंक्शन कॅपेसिटन्स

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

जा पी प्रकारासाठी फर्मी पोटेंशियल

Φ Fp = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{n i}{N A})

जा साइडवॉल व्होल्टेज समतुल्यता घटक

K eq(sw) = - (2 \cdot \frac{\sqrt{Φ osw}}{V 2 - V 1} \cdot (\sqrt{Φ osw - V 2} - \sqrt{Φ osw - V 1}))

अजून पहा

क्षीणता प्रदेशात बिल्ट इन पोटेंशियल चे मूल्यमापन कसे करावे?

क्षीणता प्रदेशात बिल्ट इन पोटेंशियल मूल्यांकनकर्ता व्होल्टेजमध्ये बिल्ट, बिल्ट इन पोटेंशियल ॲट डिप्लेशन रीजन फॉर्म्युला हे पीएन जंक्शन थर्मल समतोल असताना या क्षीण प्रदेशात स्थापित व्होल्टेज म्हणून परिभाषित केले जाते चे मूल्यमापन करण्यासाठी Built in Voltage = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता*modulus(-2*बल्क फर्मी पोटेंशियल))) वापरतो. व्होल्टेजमध्ये बिल्ट हे Φ_B0 चिन्हाने दर्शविले जाते.

हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता वापरून क्षीणता प्रदेशात बिल्ट इन पोटेंशियल चे मूल्यमापन कसे करायचे? हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता क्षीणता प्रदेशात बिल्ट इन पोटेंशियल साठी वापरण्यासाठी, स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता (N_A) & बल्क फर्मी पोटेंशियल (Φ_f) प्रविष्ट करा आणि गणना बटण दाबा.

FAQs वर क्षीणता प्रदेशात बिल्ट इन पोटेंशियल

क्षीणता प्रदेशात बिल्ट इन पोटेंशियल शोधण्याचे सूत्र काय आहे?

क्षीणता प्रदेशात बिल्ट इन पोटेंशियल चे सूत्र Built in Voltage = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता*modulus(-2*बल्क फर्मी पोटेंशियल))) म्हणून व्यक्त केले आहे. येथे एक उदाहरण आहे- -1.6E-6 = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000*modulus(-2*0.25))).

क्षीणता प्रदेशात बिल्ट इन पोटेंशियल ची गणना कशी करायची?

स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता (N_A) & बल्क फर्मी पोटेंशियल (Φ_f) सह आम्ही सूत्र - Built in Voltage = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता*modulus(-2*बल्क फर्मी पोटेंशियल))) वापरून क्षीणता प्रदेशात बिल्ट इन पोटेंशियल शोधू शकतो. हे सूत्र इलेक्ट्रॉनचा चार्ज, सिलिकॉनची परवानगी स्थिर(चे) आणि , स्क्वेअर रूट (sqrt), मॉड्यूलस (modulus) फंक्शन(s) देखील वापरते.

क्षीणता प्रदेशात बिल्ट इन पोटेंशियल नकारात्मक असू शकते का?

होय, क्षीणता प्रदेशात बिल्ट इन पोटेंशियल, विद्युत क्षमता मध्ये मोजलेले करू शकता ऋण असू शकते.

क्षीणता प्रदेशात बिल्ट इन पोटेंशियल मोजण्यासाठी कोणते एकक वापरले जाते?

क्षीणता प्रदेशात बिल्ट इन पोटेंशियल हे सहसा विद्युत क्षमता साठी व्होल्ट[V] वापरून मोजले जाते. मिलिव्होल्ट[V], मायक्रोव्होल्ट[V], नॅनोव्होल्ट[V] ही काही इतर एकके आहेत ज्यात क्षीणता प्रदेशात बिल्ट इन पोटेंशियल मोजता येतात.

English Spanish French German Russian Italian Portuguese Polish Dutch

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!