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Resistenza alla sorgente di scarico in Dispositivi transistor di base Formule

La resistenza del drain source nel MOSFET è definita come l’opposizione affrontata dalla corrente che scorre attraverso i terminali del drain source. Ed è indicato da Rds. Resistenza alla sorgente di scarico viene solitamente misurato utilizzando Kilohm per Resistenza elettrica. Tieni presente che il valore di Resistenza alla sorgente di scarico è sempre positivo.

Formule Dispositivi transistor di base che utilizzano Resistenza alla sorgente di scarico

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FAQ

Qual è il Resistenza alla sorgente di scarico?
La resistenza del drain source nel MOSFET è definita come l’opposizione affrontata dalla corrente che scorre attraverso i terminali del drain source. Resistenza alla sorgente di scarico viene solitamente misurato utilizzando Kilohm per Resistenza elettrica. Tieni presente che il valore di Resistenza alla sorgente di scarico è sempre positivo.
Il Resistenza alla sorgente di scarico può essere negativo?
NO, Resistenza alla sorgente di scarico, misurato in Resistenza elettrica non può può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Resistenza alla sorgente di scarico?
Resistenza alla sorgente di scarico viene solitamente misurato utilizzando Kilohm[kΩ] per Resistenza elettrica. Ohm[kΩ], Megahm[kΩ], Microhm[kΩ] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Resistenza alla sorgente di scarico.
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