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शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस फॉर्मूला

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शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस एक अर्धचालक जंक्शन की अंतर्निहित क्षमता को संदर्भित करता है जब उस पर कोई बाहरी वोल्टेज (पूर्वाग्रह) लागू नहीं होता है। FAQs जांचें

C j0 = \sqrt{\frac{ε si \cdot [Charge-e]}{2} \cdot (\frac{N A \cdot N D}{N A + N D}) \cdot \frac{1}{Φ o}}

C_j0 - शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस?ε_si - सिलिकॉन की पारगम्यता?N_A - स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता?N_D - दाता की डोपिंग एकाग्रता?Φ_o - जंक्शन क्षमता में निर्मित?[Charge-e] - इलेक्ट्रॉन का आवेश?

शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस उदाहरण

मूल्यों के साथ

इकाइयों के साथ

केवल उदाहरण

शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस समीकरण जैसा दिखता है।

6.6E-7 = \sqrt{\frac{11.7 \cdot 1.6E-19}{2} \cdot (\frac{1.32 \cdot 3.01}{1.32 + 3.01}) \cdot \frac{1}{2}}

6.6E-7F = \sqrt{\frac{11.7F/m \cdot 1.6E-19C}{2} \cdot (\frac{1.32electrons/cm³ \cdot 3.01electrons/cm³}{1.32electrons/cm³ + 3.01electrons/cm³}) \cdot \frac{1}{2V}}

6.6E-7 = \sqrt{\frac{11.7 \cdot 1.6E-19}{2} \cdot (\frac{1.32 \cdot 3.01}{1.32 + 3.01}) \cdot \frac{1}{2}}

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एम्पलीफायरों » fx शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस

शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस समाधान

शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें

C j0 = \sqrt{\frac{ε si \cdot [Charge-e]}{2} \cdot (\frac{N A \cdot N D}{N A + N D}) \cdot \frac{1}{Φ o}}

अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान

∴

C j0 = \sqrt{\frac{11.7F/m \cdot [Charge-e]}{2} \cdot (\frac{1.32electrons/cm³ \cdot 3.01electrons/cm³}{1.32electrons/cm³ + 3.01electrons/cm³}) \cdot \frac{1}{2V}}

अगला कदम स्थिरांकों के प्रतिस्थापन मान

∴

C j0 = \sqrt{\frac{11.7F/m \cdot 1.6E-19C}{2} \cdot (\frac{1.32electrons/cm³ \cdot 3.01electrons/cm³}{1.32electrons/cm³ + 3.01electrons/cm³}) \cdot \frac{1}{2V}}

अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें

∴

C j0 = \sqrt{\frac{11.7F/m \cdot 1.6E-19C}{2} \cdot (\frac{1.3E+6electrons/m³ \cdot 3E+6electrons/m³}{1.3E+6electrons/m³ + 3E+6electrons/m³}) \cdot \frac{1}{2V}}

अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें

∴

C j0 = \sqrt{\frac{11.7 \cdot 1.6E-19}{2} \cdot (\frac{1.3E+6 \cdot 3E+6}{1.3E+6 + 3E+6}) \cdot \frac{1}{2}}

अगला कदम मूल्यांकन करना

∴

C j0 = 6.55759204749238E-07F

अंतिम चरण उत्तर को गोल करना

∴

C j0 = 6.6E-7F

शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस FORMULA तत्वों

चर

स्थिरांक

कार्य

शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस

शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस एक अर्धचालक जंक्शन की अंतर्निहित क्षमता को संदर्भित करता है जब उस पर कोई बाहरी वोल्टेज (पूर्वाग्रह) लागू नहीं होता है।

प्रतीक: C_j0

माप: समाईइकाई: F

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस खोजने के लिए सूत्र

सिलिकॉन की पारगम्यता

सिलिकॉन की पारगम्यता एक भौतिक गुण है जो बताता है कि कोई सामग्री विद्युत क्षेत्र पर कैसे प्रतिक्रिया करती है।

प्रतीक: ε_si

माप: परावैद्युतांकइकाई: F/m

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

सिलिकॉन की पारगम्यता खोजने के लिए सूत्र

स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता

स्वीकर्ता की डोपिंग सांद्रता से तात्पर्य अर्धचालक सामग्री में जानबूझकर जोड़े गए स्वीकर्ता परमाणुओं की सांद्रता से है।

प्रतीक: N_A

माप: इलेक्ट्रॉन घनत्वइकाई: electrons/cm³

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता खोजने के लिए सूत्र

दाता की डोपिंग एकाग्रता

दाता की डोपिंग सांद्रता से तात्पर्य अर्धचालक सामग्री में जानबूझकर जोड़े गए दाता परमाणुओं की सांद्रता से है।

प्रतीक: N_D

माप: इलेक्ट्रॉन घनत्वइकाई: electrons/cm³

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

दाता की डोपिंग एकाग्रता खोजने के लिए सूत्र

जंक्शन क्षमता में निर्मित

बिल्ट-इन जंक्शन पोटेंशियल उस संभावित अंतर या वोल्टेज को संदर्भित करता है जो अर्धचालक जंक्शन पर मौजूद होता है जब यह बाहरी वोल्टेज स्रोत से जुड़ा नहीं होता है।

प्रतीक: Φ_o

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

जंक्शन क्षमता में निर्मित खोजने के लिए सूत्र

इलेक्ट्रॉन का आवेश

इलेक्ट्रॉन का आवेश एक मौलिक भौतिक स्थिरांक है, जो एक इलेक्ट्रॉन द्वारा किए गए विद्युत आवेश का प्रतिनिधित्व करता है, जो एक नकारात्मक विद्युत आवेश वाला प्राथमिक कण है।

प्रतीक: [Charge-e]

कीमत: 1.60217662E-19 C

sqrt

वर्गमूल फ़ंक्शन एक ऐसा फ़ंक्शन है जो एक गैर-ऋणात्मक संख्या को इनपुट के रूप में लेता है और दी गई इनपुट संख्या का वर्गमूल लौटाता है।

वाक्य - विन्यास: sqrt(Number)

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई बानु प्रकाश

दयानंद सागर कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग (डीएससीई), बैंगलोर

बानु प्रकाश ने यह फ़ॉर्मूला और 50+ अन्य फ़ॉर्मूले बनाए हैं!

द्वारा सत्यापित दीपांजोना मलिक

हेरिटेज इंस्टीट्यूट ऑफ टेक्नोलॉजी (हिटके), कोलकाता

दीपांजोना मलिक ने इस सूत्र और 50+ अन्य सूत्रों को सत्यापित किया है!

MOSFET एम्पलीफायर श्रेणी में अन्य सूत्र

जाना शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस

C j0sw = \sqrt{\frac{[Permitivity-silicon] \cdot [Charge-e]}{2} \cdot (\frac{N A(sw) \cdot N D}{N A(sw) + N D}) \cdot \frac{1}{Φ osw}}

शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस का मूल्यांकन कैसे करें?

शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस मूल्यांकनकर्ता शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस, जीरो बायस जंक्शन कैपेसिटेंस फॉर्मूला को अर्धचालक जंक्शन की अंतर्निहित क्षमता के रूप में परिभाषित किया गया है जब उस पर कोई बाहरी वोल्टेज (पूर्वाग्रह) लागू नहीं होता है। का मूल्यांकन करने के लिए Zero Bias Junction Capacitance = sqrt((सिलिकॉन की पारगम्यता*[Charge-e])/2*((स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता*दाता की डोपिंग एकाग्रता)/(स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता+दाता की डोपिंग एकाग्रता))*1/जंक्शन क्षमता में निर्मित) का उपयोग करता है। शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस को C_j0 प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस का मूल्यांकन कैसे करें? शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, सिलिकॉन की पारगम्यता (ε_si), स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता (N_A), दाता की डोपिंग एकाग्रता (N_D) & जंक्शन क्षमता में निर्मित (Φ_o) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस

शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस ज्ञात करने का सूत्र क्या है?

शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस का सूत्र Zero Bias Junction Capacitance = sqrt((सिलिकॉन की पारगम्यता*[Charge-e])/2*((स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता*दाता की डोपिंग एकाग्रता)/(स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता+दाता की डोपिंग एकाग्रता))*1/जंक्शन क्षमता में निर्मित) के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 6.6E-7 = sqrt((11.7*[Charge-e])/2*((1320000*3010000)/(1320000+3010000))*1/2).

शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस की गणना कैसे करें?

सिलिकॉन की पारगम्यता (ε_si), स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता (N_A), दाता की डोपिंग एकाग्रता (N_D) & जंक्शन क्षमता में निर्मित (Φ_o) के साथ हम शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस को सूत्र - Zero Bias Junction Capacitance = sqrt((सिलिकॉन की पारगम्यता*[Charge-e])/2*((स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता*दाता की डोपिंग एकाग्रता)/(स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता+दाता की डोपिंग एकाग्रता))*1/जंक्शन क्षमता में निर्मित) का उपयोग करके पा सकते हैं। यह सूत्र इलेक्ट्रॉन का आवेश स्थिरांक और वर्गमूल (sqrt) फ़ंक्शन का भी उपयोग करता है.

क्या शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस ऋणात्मक हो सकता है?

{हां या नहीं}, समाई में मापा गया शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।

शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?

शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस को आम तौर पर समाई के लिए फैरड[F] का उपयोग करके मापा जाता है। किलोफ़ारैड[F], मिलिफाराडी[F], माइक्रोफ़ारड[F] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस को मापा जा सकता है।

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शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस फॉर्मूला

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शून्य बायस जंक्शन कैपेसिटेंस समाधान

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MOSFET एम्पलीफायर श्रेणी में अन्य सूत्र

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