FormulaDen.com

भौतिक विज्ञान रसायन विज्ञान गणित रासायनिक अभियांत्रिकी नागरिक विद्युतीय इलेक्ट्रानिक्स इलेक्ट्रॉनिक्स और इंस्ट्रूमेंटेशन पदार्थ विज्ञान यांत्रिक निर्माण इंजीनियरिंग वित्तीय स्वास्थ्य

MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर फॉर्मूला

Fx प्रतिलिपि

LaTeX प्रतिलिपि

इनपुट करंट विद्युत प्रवाह को संदर्भित कर सकता है जो विद्युत उपकरण या सर्किट में प्रवाहित हो रहा है। डिवाइस और पावर स्रोत के आधार पर यह करंट एसी या डीसी हो सकता है। FAQs जांचें

I in = V gs \cdot (ω \cdot (C sg + C gd))

I_in - आगत बहाव?V_gs - गेट-स्रोत वोल्टेज?ω - कोणीय आवृत्ति?C_sg - स्रोत गेट कैपेसिटेंस?C_gd - गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस?

MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर उदाहरण

मूल्यों के साथ

इकाइयों के साथ

केवल उदाहरण

MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर समीकरण जैसा दिखता है।

2.0011 = 4 \cdot (33 \cdot (8.16 + 7))

2.0011mA = 4V \cdot (33rad/s \cdot (8.16μF + 7μF))

2.0011 = 4 \cdot (33 \cdot (8.16 + 7))

बख्शीश: इनपुट मान और इकाइयों को संपादित करने के लिए ऊपर दिए गए पेंसिल ( Pencil

) आइकन का उपयोग करें।

गणना

पुनर्गणना

समाधान

प्रतिलिपि

रीसेट

शेयर करना

आप यहां हैं -

घर » Category

अभियांत्रिकी » Category

इलेक्ट्रानिक्स » Category

एनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » fx MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर

MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर समाधान

MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें

I in = V gs \cdot (ω \cdot (C sg + C gd))

अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान

∴

I in = 4V \cdot (33rad/s \cdot (8.16μF + 7μF))

अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें

∴

I in = 4V \cdot (33rad/s \cdot (8.2E-6F + 7E-6F))

अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें

∴

I in = 4 \cdot (33 \cdot (8.2E-6 + 7E-6))

अगला कदम मूल्यांकन करना

∴

I in = 0.00200112A

अगला कदम आउटपुट की इकाई में परिवर्तित करें

∴

I in = 2.00112mA

अंतिम चरण उत्तर को गोल करना

∴

I in = 2.0011mA

MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर FORMULA तत्वों

चर

आगत बहाव

इनपुट करंट विद्युत प्रवाह को संदर्भित कर सकता है जो विद्युत उपकरण या सर्किट में प्रवाहित हो रहा है। डिवाइस और पावर स्रोत के आधार पर यह करंट एसी या डीसी हो सकता है।

प्रतीक: I_in

माप: विद्युत प्रवाहइकाई: mA

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

आगत बहाव खोजने के लिए सूत्र

गेट-स्रोत वोल्टेज

गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है।

प्रतीक: V_gs

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

गेट-स्रोत वोल्टेज खोजने के लिए सूत्र

कोणीय आवृत्ति

तरंग की कोणीय आवृत्ति प्रति इकाई समय में कोणीय विस्थापन को संदर्भित करती है। यह घूर्णन दर का एक अदिश माप है।

प्रतीक: ω

माप: कोणीय आवृत्तिइकाई: rad/s

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

कोणीय आवृत्ति खोजने के लिए सूत्र

स्रोत गेट कैपेसिटेंस

स्रोत गेट कैपेसिटेंस एक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) में स्रोत और गेट इलेक्ट्रोड के बीच कैपेसिटेंस का एक माप है।

प्रतीक: C_sg

माप: समाईइकाई: μF

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

स्रोत गेट कैपेसिटेंस खोजने के लिए सूत्र

गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस

गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस एक परजीवी कैपेसिटेंस है जो फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) के गेट और ड्रेन इलेक्ट्रोड के बीच मौजूद होता है।

प्रतीक: C_gd

माप: समाईइकाई: μF

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस खोजने के लिए सूत्र

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया

बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी

पायल प्रिया ने यह फ़ॉर्मूला और 600+ अन्य फ़ॉर्मूले बनाए हैं!

द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़

विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठौड़ ने इस सूत्र और 1900+ अन्य सूत्रों को सत्यापित किया है!

वोल्टेज श्रेणी में अन्य सूत्र

जाना MOSFET के ड्रेन Q1 पर आउटपुट वोल्टेज

v o1 = - (R out \cdot I t)

जाना MOSFET के ड्रेन Q2 पर आउटपुट वोल्टेज

v o2 = - (R out \cdot I t)

जाना MOSFET के ड्रेन Q1 पर आउटपुट वोल्टेज को कॉमन-मोड सिग्नल दिया गया

v o1 = - R out \cdot \frac{g m \cdot V cin}{1 + (2 \cdot g m \cdot R out)}

जाना MOSFET के ड्रेन Q2 पर आउटपुट वोल्टेज को कॉमन-मोड सिग्नल दिया गया

v o2 = - (\frac{R out}{(\frac{1}{g m}) + 2 \cdot R out}) \cdot V cin

और देखें

MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर का मूल्यांकन कैसे करें?

MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर मूल्यांकनकर्ता आगत बहाव, MOSFET में दिया गया धनात्मक वोल्टेज डोपिंग के साथ बढ़ता है जबकि pMOS संरचनाओं की दहलीज उसी तरह डोपिंग के साथ घट जाती है। ऑक्साइड चार्ज के कारण फ्लैट बैंड वोल्टेज की भिन्नता दोनों वक्रों को नीचे ले जाने का कारण बनेगी यदि चार्ज सकारात्मक है और यदि चार्ज नकारात्मक है तो ऊपर। का मूल्यांकन करने के लिए Input Current = गेट-स्रोत वोल्टेज*(कोणीय आवृत्ति*(स्रोत गेट कैपेसिटेंस+गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस)) का उपयोग करता है। आगत बहाव को I_in प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर का मूल्यांकन कैसे करें? MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, गेट-स्रोत वोल्टेज (V_gs), कोणीय आवृत्ति (ω), स्रोत गेट कैपेसिटेंस (C_sg) & गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस (C_gd) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर

MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर ज्ञात करने का सूत्र क्या है?

MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर का सूत्र Input Current = गेट-स्रोत वोल्टेज*(कोणीय आवृत्ति*(स्रोत गेट कैपेसिटेंस+गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस)) के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 2001.12 = 4*(33*(8.16E-06+7E-06)).

MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर की गणना कैसे करें?

गेट-स्रोत वोल्टेज (V_gs), कोणीय आवृत्ति (ω), स्रोत गेट कैपेसिटेंस (C_sg) & गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस (C_gd) के साथ हम MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर को सूत्र - Input Current = गेट-स्रोत वोल्टेज*(कोणीय आवृत्ति*(स्रोत गेट कैपेसिटेंस+गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस)) का उपयोग करके पा सकते हैं।

क्या MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर ऋणात्मक हो सकता है?

{हां या नहीं}, विद्युत प्रवाह में मापा गया MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।

MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?

MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर को आम तौर पर विद्युत प्रवाह के लिए मिलीएम्पियर[mA] का उपयोग करके मापा जाता है। एम्पेयर[mA], माइक्रोएम्पीयर[mA], सेंटियमपीयर[mA] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर को मापा जा सकता है।

English Spanish French German Russian Italian Portuguese Polish Dutch

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: कीमत
: इकाई

MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर फॉर्मूला

MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर उदाहरण

MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर समाधान

MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर FORMULA तत्वों

क्रेडिट

वोल्टेज श्रेणी में अन्य सूत्र

MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर का मूल्यांकन कैसे करें?

FAQs पर MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर

Variable Name