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MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण फॉर्मूला

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चैनल में इलेक्ट्रॉन आवेश उपकरण में प्रयुक्त अर्धचालक सामग्री के चालन बैंड में एक इलेक्ट्रॉन द्वारा किए गए आवेश की मात्रा को संदर्भित करता है। FAQs जांचें
Qe=Cox⋅Wc⋅L⋅Veff
Qe - चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज?Cox - ऑक्साइड धारिता?Wc - चैनल की चौड़ाई?L - चैनल की लंबाई?Veff - प्रभावी वोल्टेज?

MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण उदाहरण

मूल्यों के साथ
इकाइयों के साथ
केवल उदाहरण

MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण समीकरण जैसा दिखता है।

1.598Edit=940Edit⋅10Edit⋅100Edit⋅1.7Edit
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MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण समाधान

MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें
Qe=Cox⋅Wc⋅L⋅Veff
अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान
∴ Qe=940μF⋅10μm⋅100μm⋅1.7V
अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें
∴ Qe=0.0009F⋅1E-5m⋅0.0001m⋅1.7V
अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें
∴ Qe=0.0009⋅1E-5⋅0.0001⋅1.7
अगला कदम मूल्यांकन करना
∴Qe=1.598E-12C
अंतिम चरण आउटपुट की इकाई में परिवर्तित करें
∴Qe=1.598pC

MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण FORMULA तत्वों

चर
चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज
चैनल में इलेक्ट्रॉन आवेश उपकरण में प्रयुक्त अर्धचालक सामग्री के चालन बैंड में एक इलेक्ट्रॉन द्वारा किए गए आवेश की मात्रा को संदर्भित करता है।
प्रतीक: Qe
माप: बिजली का आवेशइकाई: pC
टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.
चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज खोजने के लिए सूत्रOpen Variable
ऑक्साइड धारिता
ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत।
प्रतीक: Cox
माप: समाईइकाई: μF
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
ऑक्साइड धारिता खोजने के लिए सूत्रOpen Variable
चैनल की चौड़ाई
चैनल की चौड़ाई वायरलेस संचार चैनल पर डेटा संचारित करने के लिए उपयोग की जाने वाली आवृत्तियों की सीमा को संदर्भित करती है। इसे बैंडविड्थ के रूप में भी जाना जाता है और इसे हर्ट्ज़ (हर्ट्ज) में मापा जाता है।
प्रतीक: Wc
माप: लंबाईइकाई: μm
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
चैनल की चौड़ाई खोजने के लिए सूत्रOpen Variable
चैनल की लंबाई
चैनल की लंबाई फ़ील्ड-इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) में स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच की दूरी को संदर्भित करती है।
प्रतीक: L
माप: लंबाईइकाई: μm
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
चैनल की लंबाई खोजने के लिए सूत्रOpen Variable
प्रभावी वोल्टेज
MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) में प्रभावी वोल्टेज वह वोल्टेज है जो डिवाइस के व्यवहार को निर्धारित करता है। इसे गेट-सोर्स वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है।
प्रतीक: Veff
माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
प्रभावी वोल्टेज खोजने के लिए सूत्रOpen Variable

क्रेडिट

Creator Image
के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया LinkedIn Logo
बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी
पायल प्रिया ने यह फ़ॉर्मूला और 600+ अन्य फ़ॉर्मूले बनाए हैं!
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द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़ LinkedIn Logo
विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद
उर्वी राठौड़ ने इस सूत्र और 1900+ अन्य सूत्रों को सत्यापित किया है!

आंतरिक कैपेसिटिव प्रभाव और उच्च आवृत्ति मॉडल श्रेणी में अन्य सूत्र

​जाना MOSFET के गेट टू सोर्स चैनल की चौड़ाई
Wc=CocCox⋅Lov
​जाना MOSFET की ओवरलैप कैपेसिटेंस
Coc=Wc⋅Cox⋅Lov
​जाना MOSFETs के गेट और चैनल के बीच कुल समाई
Cg=Cox⋅Wc⋅L
​जाना MOSFET की संक्रमण आवृत्ति
ft=gm2⋅π⋅(Csg+Cgd)

MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण का मूल्यांकन कैसे करें?

MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण मूल्यांकनकर्ता चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज, MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण द्वारा दिया जाता है |Q| = कॉक्स (डब्ल्यूएल) वोव जहां कॉक्स, जिसे ऑक्साइड कैपेसिटेंस कहा जाता है, प्रति यूनिट गेट एरिया (एफ / एम की इकाइयों में) समानांतर प्लेट कैपेसिटर की कैपेसिटेंस है। का मूल्यांकन करने के लिए Electron Charge in Channel = ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई*चैनल की लंबाई*प्रभावी वोल्टेज का उपयोग करता है। चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज को Qe प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण का मूल्यांकन कैसे करें? MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, ऑक्साइड धारिता (Cox), चैनल की चौड़ाई (Wc), चैनल की लंबाई (L) & प्रभावी वोल्टेज (Veff) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण

MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण ज्ञात करने का सूत्र क्या है?
MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण का सूत्र Electron Charge in Channel = ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई*चैनल की लंबाई*प्रभावी वोल्टेज के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 1.6E+12 = 0.00094*1E-05*0.0001*1.7.
MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण की गणना कैसे करें?
ऑक्साइड धारिता (Cox), चैनल की चौड़ाई (Wc), चैनल की लंबाई (L) & प्रभावी वोल्टेज (Veff) के साथ हम MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण को सूत्र - Electron Charge in Channel = ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई*चैनल की लंबाई*प्रभावी वोल्टेज का उपयोग करके पा सकते हैं।
क्या MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण ऋणात्मक हो सकता है?
{हां या नहीं}, बिजली का आवेश में मापा गया MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।
MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?
MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण को आम तौर पर बिजली का आवेश के लिए पीकोकूलम्ब[pC] का उपयोग करके मापा जाता है। कूलम्ब[pC], किलोकूलम्ब[pC], मिलिकौलॉम्ब[pC] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण को मापा जा सकता है।
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