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रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें फॉर्मूला

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लीनियर रीजन पुल डाउन करंट रेसिस्टर के माध्यम से करंट होता है, जब एक पुल-डाउन रेसिस्टर का उपयोग रैखिक मोड में एन-चैनल एमओएसएफईटी के साथ किया जाता है। FAQs जांचें

I D(linear) = \sum (x, 0, n, (μ n \cdot \frac{C ox}{2}) \cdot (\frac{W}{L}) \cdot (2 \cdot (V GS - V T) \cdot V out - {V out}^{2}))

I_D(linear) - रैखिक क्षेत्र धारा को नीचे खींचता है?n - समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या?μ_n - इलेक्ट्रॉन गतिशीलता?C_ox - ऑक्साइड धारिता?W - चैनल की चौड़ाई?L - चैनल की लंबाई?V_GS - गेट स्रोत वोल्टेज?V_T - सीमा वोल्टेज?V_out - आउटपुट वोल्टेज?

रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें उदाहरण

मूल्यों के साथ

इकाइयों के साथ

केवल उदाहरण

रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें समीकरण जैसा दिखता है।

37526.2793 = \sum (x, 0, 11, (9.92 \cdot \frac{3.9}{2}) \cdot (\frac{2.678}{3.45}) \cdot (2 \cdot (29.65 - 5.91) \cdot 4.89 - {4.89}^{2}))

37526.2793A = \sum (x, 0, 11, (9.92m²/V*s \cdot \frac{3.9F}{2}) \cdot (\frac{2.678m}{3.45m}) \cdot (2 \cdot (29.65V - 5.91V) \cdot 4.89V - {4.89V}^{2}))

37526.2793 = \sum (x, 0, 11, (9.92 \cdot \frac{3.9}{2}) \cdot (\frac{2.678}{3.45}) \cdot (2 \cdot (29.65 - 5.91) \cdot 4.89 - {4.89}^{2}))

बख्शीश: इनपुट मान और इकाइयों को संपादित करने के लिए ऊपर दिए गए पेंसिल () आइकन का उपयोग करें।

गणना

पुनर्गणना

समाधान

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रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें समाधान

रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें

I D(linear) = \sum (x, 0, n, (μ n \cdot \frac{C ox}{2}) \cdot (\frac{W}{L}) \cdot (2 \cdot (V GS - V T) \cdot V out - {V out}^{2}))

अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान

∴

I D(linear) = \sum (x, 0, 11, (9.92m²/V*s \cdot \frac{3.9F}{2}) \cdot (\frac{2.678m}{3.45m}) \cdot (2 \cdot (29.65V - 5.91V) \cdot 4.89V - {4.89V}^{2}))

अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें

∴

I D(linear) = \sum (x, 0, 11, (9.92 \cdot \frac{3.9}{2}) \cdot (\frac{2.678}{3.45}) \cdot (2 \cdot (29.65 - 5.91) \cdot 4.89 - {4.89}^{2}))

अगला कदम मूल्यांकन करना

∴

I D(linear) = 37526.2792793155A

अंतिम चरण उत्तर को गोल करना

∴

I D(linear) = 37526.2793A

रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें FORMULA तत्वों

चर

कार्य

रैखिक क्षेत्र धारा को नीचे खींचता है

लीनियर रीजन पुल डाउन करंट रेसिस्टर के माध्यम से करंट होता है, जब एक पुल-डाउन रेसिस्टर का उपयोग रैखिक मोड में एन-चैनल एमओएसएफईटी के साथ किया जाता है।

प्रतीक: I_D(linear)

माप: विद्युत प्रवाहइकाई: A

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या

समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या सर्किट में समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या को संदर्भित करती है।

प्रतीक: n

माप: NAइकाई: Unitless

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

इलेक्ट्रॉन गतिशीलता

MOSFET में इलेक्ट्रॉन गतिशीलता बताती है कि इलेक्ट्रॉन कितनी आसानी से चैनल के माध्यम से आगे बढ़ सकते हैं, किसी दिए गए वोल्टेज के लिए वर्तमान प्रवाह को सीधे प्रभावित कर सकते हैं।

प्रतीक: μ_n

माप: गतिशीलताइकाई: m²/V*s

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

ऑक्साइड धारिता

ऑक्साइड धारिता, धातु-ऑक्साइड-अर्धचालक (MOS) संरचना, जैसे MOSFETs में, इन्सुलेटिंग ऑक्साइड परत से जुड़ी धारिता को संदर्भित करती है।

प्रतीक: C_ox

माप: समाईइकाई: F

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

चैनल की चौड़ाई

चैनल की चौड़ाई MOSFET के भीतर प्रवाहकीय चैनल की चौड़ाई का प्रतिनिधित्व करती है, जो सीधे उसके द्वारा संभाले जा सकने वाले करंट की मात्रा को प्रभावित करती है।

प्रतीक: W

माप: लंबाईइकाई: m

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

चैनल की लंबाई

MOSFET में चैनल की लंबाई स्रोत और नाली क्षेत्रों के बीच की दूरी है, जो यह निर्धारित करती है कि धारा कितनी आसानी से बहती है और ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को प्रभावित करती है।

प्रतीक: L

माप: लंबाईइकाई: m

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

गेट स्रोत वोल्टेज

गेट सोर्स वोल्टेज MOSFET के गेट और सोर्स टर्मिनलों के बीच लगाया जाने वाला वोल्टेज है।

प्रतीक: V_GS

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

सीमा वोल्टेज

थ्रेसहोल्ड वोल्टेज एक MOSFET में इसे "चालू" करने और एक महत्वपूर्ण धारा प्रवाहित करने के लिए आवश्यक न्यूनतम गेट-टू-सोर्स वोल्टेज है।

प्रतीक: V_T

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

आउटपुट वोल्टेज

पुल-डाउन अवरोधक, वी के साथ एन-चैनल एमओएसएफईटी सर्किट में आउटपुट वोल्टेज

प्रतीक: V_out

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

sum

योग या सिग्मा (∑) संकेतन एक विधि है जिसका उपयोग किसी लम्बे योग को संक्षिप्त रूप में लिखने के लिए किया जाता है।

वाक्य - विन्यास: sum(i, from, to, expr)

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई विग्नेश नायडू

वेल्लोर इंस्टीट्यूट ऑफ टेक्नोलॉजी (विटामिन), वेल्लोर, तमिलनाडु

विग्नेश नायडू ने यह फ़ॉर्मूला और 10+ अन्य फ़ॉर्मूले बनाए हैं!

द्वारा सत्यापित दीपांजोना मलिक

हेरिटेज इंस्टीट्यूट ऑफ टेक्नोलॉजी (हिटके), कोलकाता

दीपांजोना मलिक ने इस सूत्र और 50+ अन्य सूत्रों को सत्यापित किया है!

एमओएस ट्रांजिस्टर श्रेणी में अन्य सूत्र

जाना प्रति यूनिट लंबाई शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस

C jsw = C j0sw \cdot x j

जाना समतुल्य बड़े सिग्नल जंक्शन क्षमता

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

और देखें

रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें का मूल्यांकन कैसे करें?

रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें मूल्यांकनकर्ता रैखिक क्षेत्र धारा को नीचे खींचता है, लीनियर रीजन फॉर्मूला में पुल डाउन करंट को रेसिस्टर के माध्यम से करंट के रूप में परिभाषित किया जाता है, जब पुल-डाउन रेसिस्टर का उपयोग एन-चैनल MOSFET के साथ लीनियर मोड में किया जाता है। का मूल्यांकन करने के लिए Linear Region Pull Down Current = sum(x,0,समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या,(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता/2)*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*(2*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*आउटपुट वोल्टेज-आउटपुट वोल्टेज^2)) का उपयोग करता है। रैखिक क्षेत्र धारा को नीचे खींचता है को I_D(linear) प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें का मूल्यांकन कैसे करें? रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या (n), इलेक्ट्रॉन गतिशीलता (μ_n), ऑक्साइड धारिता (C_ox), चैनल की चौड़ाई (W), चैनल की लंबाई (L), गेट स्रोत वोल्टेज (V_GS), सीमा वोल्टेज (V_T) & आउटपुट वोल्टेज (V_out) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें

रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें ज्ञात करने का सूत्र क्या है?

रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें का सूत्र Linear Region Pull Down Current = sum(x,0,समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या,(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता/2)*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*(2*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*आउटपुट वोल्टेज-आउटपुट वोल्टेज^2)) के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 37526.28 = sum(x,0,11,(9.92*3.9/2)*(2.678/3.45)*(2*(29.65-5.91)*4.89-4.89^2)).

रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें की गणना कैसे करें?

समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या (n), इलेक्ट्रॉन गतिशीलता (μ_n), ऑक्साइड धारिता (C_ox), चैनल की चौड़ाई (W), चैनल की लंबाई (L), गेट स्रोत वोल्टेज (V_GS), सीमा वोल्टेज (V_T) & आउटपुट वोल्टेज (V_out) के साथ हम रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें को सूत्र - Linear Region Pull Down Current = sum(x,0,समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या,(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता/2)*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*(2*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*आउटपुट वोल्टेज-आउटपुट वोल्टेज^2)) का उपयोग करके पा सकते हैं। यह सूत्र योग संकेतन (sum) फ़ंक्शन का भी उपयोग करता है.

क्या रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें ऋणात्मक हो सकता है?

{हां या नहीं}, विद्युत प्रवाह में मापा गया रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।

रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?

रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें को आम तौर पर विद्युत प्रवाह के लिए एम्पेयर[A] का उपयोग करके मापा जाता है। मिलीएम्पियर[A], माइक्रोएम्पीयर[A], सेंटियमपीयर[A] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें को मापा जा सकता है।

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