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एमओएसएफईटी प्राथमिक ट्रांसकंडक्टेंस ड्रेन करंट में परिवर्तन को निरंतर ड्रेन/सोर्स वोल्टेज के साथ गेट/सोर्स वोल्टेज में छोटे परिवर्तन से विभाजित किया जाता है। FAQs जांचें
gmp=2idVox-Vt
gmp - MOSFET प्राथमिक ट्रांसकंडक्टेंस?id - जल निकासी धारा?Vox - ऑक्साइड में वोल्टेज?Vt - सीमा वोल्टेज?

ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन उदाहरण

मूल्यों के साथ
इकाइयों के साथ
केवल उदाहरण

ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन समीकरण जैसा दिखता है।

19.7183Edit=217.5Edit3.775Edit-2Edit
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ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन समाधान

ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें
gmp=2idVox-Vt
अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान
gmp=217.5mA3.775V-2V
अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें
gmp=20.0175A3.775V-2V
अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें
gmp=20.01753.775-2
अगला कदम मूल्यांकन करना
gmp=0.0197183098591549S
अगला कदम आउटपुट की इकाई में परिवर्तित करें
gmp=19.7183098591549mS
अंतिम चरण उत्तर को गोल करना
gmp=19.7183mS

ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन FORMULA तत्वों

चर
MOSFET प्राथमिक ट्रांसकंडक्टेंस
एमओएसएफईटी प्राथमिक ट्रांसकंडक्टेंस ड्रेन करंट में परिवर्तन को निरंतर ड्रेन/सोर्स वोल्टेज के साथ गेट/सोर्स वोल्टेज में छोटे परिवर्तन से विभाजित किया जाता है।
प्रतीक: gmp
माप: transconductanceइकाई: mS
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
जल निकासी धारा
थ्रेशोल्ड वोल्टेज के नीचे ड्रेन करंट को सबथ्रेशोल्ड करंट के रूप में परिभाषित किया गया है और यह गेट से स्रोत वोल्टेज के साथ तेजी से बदलता रहता है।
प्रतीक: id
माप: विद्युत प्रवाहइकाई: mA
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
ऑक्साइड में वोल्टेज
ऑक्साइड में वोल्टेज ऑक्साइड-अर्धचालक इंटरफ़ेस पर चार्ज के कारण होता है और तीसरा शब्द ऑक्साइड में चार्ज घनत्व के कारण होता है।
प्रतीक: Vox
माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
सीमा वोल्टेज
ट्रांजिस्टर का थ्रेसहोल्ड वोल्टेज स्रोत वोल्टेज का न्यूनतम गेट है जो स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच एक संचालन पथ बनाने के लिए आवश्यक है।
प्रतीक: Vt
माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

क्रेडिट

Creator Image
के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया
बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी
पायल प्रिया ने यह फ़ॉर्मूला और 600+ अन्य फ़ॉर्मूले बनाए हैं!
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द्वारा सत्यापित प्रहलाद सिंह
जयपुर इंजीनियरिंग कॉलेज एंड रिसर्च सेंटर (जेईसीआरसी), जयपुर
प्रहलाद सिंह ने इस सूत्र और 10+ अन्य सूत्रों को सत्यापित किया है!

MOSFET प्राथमिक ट्रांसकंडक्टेंस खोजने के लिए अन्य सूत्र

​जाना ट्रांजिस्टर एम्पलीफायर के कलेक्टर करंट का उपयोग करके ट्रांसकंडक्टेंस
gmp=icVt

ट्रांजिस्टर एम्पलीफायर विशेषताएँ श्रेणी में अन्य सूत्र

​जाना कुल तात्कालिक नाली वोल्टेज
Vd=Vfc-Rdid
​जाना ट्रांजिस्टर में प्रेरित चैनल के माध्यम से बहने वाली धारा को ऑक्साइड वोल्टेज दिया जाता है
io=(μeCox(WcL)(Vox-Vt))Vds
​जाना संतृप्ति पर MOSFET के वर्तमान प्रवेश द्वार टर्मिनल
ids=12k'n(WcL)(Vov)2
​जाना ट्रांजिस्टर में इनपुट वोल्टेज
Vfc=Rdid-Vd

ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन का मूल्यांकन कैसे करें?

ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन मूल्यांकनकर्ता MOSFET प्राथमिक ट्रांसकंडक्टेंस, ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्टेंस फॉर्मूला आउटपुट करंट में परिवर्तन और इनपुट वोल्टेज में परिवर्तन के बीच संबंध को परिभाषित करता है। यह मात्रा निर्धारित करता है कि ट्रांजिस्टर आउटपुट करंट में संबंधित परिवर्तन उत्पन्न करके इनपुट वोल्टेज में भिन्नता को कितने प्रभावी ढंग से बढ़ा सकता है। का मूल्यांकन करने के लिए MOSFET Primary Transconductance = (2*जल निकासी धारा)/(ऑक्साइड में वोल्टेज-सीमा वोल्टेज) का उपयोग करता है। MOSFET प्राथमिक ट्रांसकंडक्टेंस को gmp प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन का मूल्यांकन कैसे करें? ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, जल निकासी धारा (id), ऑक्साइड में वोल्टेज (Vox) & सीमा वोल्टेज (Vt) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन

ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन ज्ञात करने का सूत्र क्या है?
ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन का सूत्र MOSFET Primary Transconductance = (2*जल निकासी धारा)/(ऑक्साइड में वोल्टेज-सीमा वोल्टेज) के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 19718.31 = (2*0.0175)/(3.775-2).
ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन की गणना कैसे करें?
जल निकासी धारा (id), ऑक्साइड में वोल्टेज (Vox) & सीमा वोल्टेज (Vt) के साथ हम ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन को सूत्र - MOSFET Primary Transconductance = (2*जल निकासी धारा)/(ऑक्साइड में वोल्टेज-सीमा वोल्टेज) का उपयोग करके पा सकते हैं।
MOSFET प्राथमिक ट्रांसकंडक्टेंस की गणना करने के अन्य तरीके क्या हैं?
MOSFET प्राथमिक ट्रांसकंडक्टेंस-
  • MOSFET Primary Transconductance=Collector Current/Threshold Voltage
की गणना करने के विभिन्न तरीके यहां दिए गए हैं
क्या ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन ऋणात्मक हो सकता है?
{हां या नहीं}, transconductance में मापा गया ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।
ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?
ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन को आम तौर पर transconductance के लिए मिलिसिएमेंस[mS] का उपयोग करके मापा जाता है। सीमेंस[mS] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें ट्रांजिस्टर एम्पलीफायरों का ट्रांसकंडक्शन को मापा जा सकता है।
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