गेट डाइलेक्ट्रिक के माध्यम से गेट रिसाव फॉर्मूला

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गेट करंट को तब परिभाषित किया जाता है जब गेट और सोर्स टर्मिनलों के बीच कोई वोल्टेज नहीं होता है, बहुत अधिक ड्रेन-सोर्स प्रतिबाधा के कारण लीकेज करंट को छोड़कर ड्रेन में कोई करंट प्रवाहित नहीं होता है। FAQs जांचें
ig=(PstVbc)-(ist+icon+ij)
ig - गेट करंट?Pst - सीएमओएस स्टेटिक पावर?Vbc - बेस कलेक्टर वोल्टेज?ist - सबथ्रेशोल्ड करंट?icon - विवाद वर्तमान?ij - जंक्शन करंट?

गेट डाइलेक्ट्रिक के माध्यम से गेट रिसाव उदाहरण

मूल्यों के साथ
इकाइयों के साथ
केवल उदाहरण

गेट डाइलेक्ट्रिक के माध्यम से गेट रिसाव समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

गेट डाइलेक्ट्रिक के माध्यम से गेट रिसाव समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

गेट डाइलेक्ट्रिक के माध्यम से गेट रिसाव समीकरण जैसा दिखता है।

4.5015Edit=(67.37Edit2.02Edit)-(1.6Edit+25.75Edit+1.5Edit)
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गेट डाइलेक्ट्रिक के माध्यम से गेट रिसाव समाधान

गेट डाइलेक्ट्रिक के माध्यम से गेट रिसाव की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें
ig=(PstVbc)-(ist+icon+ij)
अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान
ig=(67.37mW2.02V)-(1.6mA+25.75mA+1.5mA)
अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें
ig=(0.0674W2.02V)-(0.0016A+0.0258A+0.0015A)
अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें
ig=(0.06742.02)-(0.0016+0.0258+0.0015)
अगला कदम मूल्यांकन करना
ig=0.00450148514851485A
अगला कदम आउटपुट की इकाई में परिवर्तित करें
ig=4.50148514851485mA
अंतिम चरण उत्तर को गोल करना
ig=4.5015mA

गेट डाइलेक्ट्रिक के माध्यम से गेट रिसाव FORMULA तत्वों

चर
गेट करंट
गेट करंट को तब परिभाषित किया जाता है जब गेट और सोर्स टर्मिनलों के बीच कोई वोल्टेज नहीं होता है, बहुत अधिक ड्रेन-सोर्स प्रतिबाधा के कारण लीकेज करंट को छोड़कर ड्रेन में कोई करंट प्रवाहित नहीं होता है।
प्रतीक: ig
माप: विद्युत प्रवाहइकाई: mA
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
सीएमओएस स्टेटिक पावर
CMOS उपकरणों में बहुत कम स्थैतिक बिजली की खपत के कारण CMOS स्टेटिक पावर को लीकेज करंट के रूप में परिभाषित किया गया है।
प्रतीक: Pst
माप: शक्तिइकाई: mW
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
बेस कलेक्टर वोल्टेज
ट्रांजिस्टर बायसिंग में बेस कलेक्टर वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है। यह ट्रांजिस्टर के सक्रिय अवस्था में होने पर उसके आधार और कलेक्टर टर्मिनलों के बीच वोल्टेज अंतर को संदर्भित करता है।
प्रतीक: Vbc
माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
सबथ्रेशोल्ड करंट
सबथ्रेशोल्ड करंट ऑफ ट्रांजिस्टर के माध्यम से सबथ्रेशोल्ड रिसाव है।
प्रतीक: ist
माप: विद्युत प्रवाहइकाई: mA
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
विवाद वर्तमान
कंटेंट करंट को अनुपातिक सर्किट में होने वाले कंटेंट करंट के रूप में परिभाषित किया गया है।
प्रतीक: icon
माप: विद्युत प्रवाहइकाई: mA
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
जंक्शन करंट
जंक्शन करंट स्रोत/नाली प्रसार से जंक्शन रिसाव है।
प्रतीक: ij
माप: विद्युत प्रवाहइकाई: mA
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

क्रेडिट

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के द्वारा बनाई गई शोभित डिमरी LinkedIn Logo
बिपिन त्रिपाठी कुमाऊँ प्रौद्योगिकी संस्थान (BTKIT), द्वाराहाट
शोभित डिमरी ने यह फ़ॉर्मूला और 900+ अन्य फ़ॉर्मूले बनाए हैं!
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द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़ LinkedIn Logo
विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद
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सीएमओएस पावर मेट्रिक्स श्रेणी में अन्य सूत्र

​जाना गतिविधि कारक
α=PsCVbc2f
​जाना स्विचिंग पावर
Ps=α(CVbc2f)
​जाना सीएमओएस में गतिशील शक्ति
Pdyn=Psc+Ps
​जाना सीएमओएस में शॉर्ट-सर्किट पावर
Psc=Pdyn-Ps

गेट डाइलेक्ट्रिक के माध्यम से गेट रिसाव का मूल्यांकन कैसे करें?

गेट डाइलेक्ट्रिक के माध्यम से गेट रिसाव मूल्यांकनकर्ता गेट करंट, गेट ढांकता हुआ सूत्र के माध्यम से गेट रिसाव की गणना तब की जाती है जब गेट और स्रोत टर्मिनलों के बीच कोई वोल्टेज नहीं होता है, लीकेज करंट को छोड़कर नाली में कोई करंट प्रवाहित नहीं होता है। इसका कारण बहुत अधिक नाली-स्रोत प्रतिबाधा है। का मूल्यांकन करने के लिए Gate Current = (सीएमओएस स्टेटिक पावर/बेस कलेक्टर वोल्टेज)-(सबथ्रेशोल्ड करंट+विवाद वर्तमान+जंक्शन करंट) का उपयोग करता है। गेट करंट को ig प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके गेट डाइलेक्ट्रिक के माध्यम से गेट रिसाव का मूल्यांकन कैसे करें? गेट डाइलेक्ट्रिक के माध्यम से गेट रिसाव के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, सीएमओएस स्टेटिक पावर (Pst), बेस कलेक्टर वोल्टेज (Vbc), सबथ्रेशोल्ड करंट (ist), विवाद वर्तमान (icon) & जंक्शन करंट (ij) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर गेट डाइलेक्ट्रिक के माध्यम से गेट रिसाव

गेट डाइलेक्ट्रिक के माध्यम से गेट रिसाव ज्ञात करने का सूत्र क्या है?
गेट डाइलेक्ट्रिक के माध्यम से गेट रिसाव का सूत्र Gate Current = (सीएमओएस स्टेटिक पावर/बेस कलेक्टर वोल्टेज)-(सबथ्रेशोल्ड करंट+विवाद वर्तमान+जंक्शन करंट) के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 25131.49 = (0.06737/2.02)-(0.0016+0.02575+0.0015).
गेट डाइलेक्ट्रिक के माध्यम से गेट रिसाव की गणना कैसे करें?
सीएमओएस स्टेटिक पावर (Pst), बेस कलेक्टर वोल्टेज (Vbc), सबथ्रेशोल्ड करंट (ist), विवाद वर्तमान (icon) & जंक्शन करंट (ij) के साथ हम गेट डाइलेक्ट्रिक के माध्यम से गेट रिसाव को सूत्र - Gate Current = (सीएमओएस स्टेटिक पावर/बेस कलेक्टर वोल्टेज)-(सबथ्रेशोल्ड करंट+विवाद वर्तमान+जंक्शन करंट) का उपयोग करके पा सकते हैं।
क्या गेट डाइलेक्ट्रिक के माध्यम से गेट रिसाव ऋणात्मक हो सकता है?
{हां या नहीं}, विद्युत प्रवाह में मापा गया गेट डाइलेक्ट्रिक के माध्यम से गेट रिसाव ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।
गेट डाइलेक्ट्रिक के माध्यम से गेट रिसाव को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?
गेट डाइलेक्ट्रिक के माध्यम से गेट रिसाव को आम तौर पर विद्युत प्रवाह के लिए मिलीएम्पियर[mA] का उपयोग करके मापा जाता है। एम्पेयर[mA], माइक्रोएम्पीयर[mA], सेंटियमपीयर[mA] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें गेट डाइलेक्ट्रिक के माध्यम से गेट रिसाव को मापा जा सकता है।
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