FormulaDen logo
FormulaDen.com
Search
Fysica Chemie Wiskunde Chemische technologie Civiel Elektrisch Elektronica Elektronica en instrumentatie Materiaal kunde Mechanisch Productie Engineering Financieel Gezondheid

Ingangsstroomvervormingsfactor in Basistransistorapparaten Formules

De vervormingsfactor van de ingangsstroom wordt gedefinieerd als de verhouding van de RMS-waarde van de fundamentele component van de ingangsstroom tot de RMS-waarde van de ingangsstroom, inclusief fundamentele en harmonischen. En wordt aangegeven met CDF.

Formules om Ingangsstroomvervormingsfactor te vinden in Basistransistorapparaten

fxIngangsstroomvervormingsfactor​Gan

Basistransistorapparaten-formules die gebruik maken van Ingangsstroomvervormingsfactor

fxInput huidige harmonische factor​Gan

Lijst met variabelen in formules van Basistransistorapparaten

fx RMS Supply Current Fundamenteel onderdeel ​Gan
fx RMS-voedingsstroom ​Gan

FAQ

Wat is de Ingangsstroomvervormingsfactor?
De vervormingsfactor van de ingangsstroom wordt gedefinieerd als de verhouding van de RMS-waarde van de fundamentele component van de ingangsstroom tot de RMS-waarde van de ingangsstroom, inclusief fundamentele en harmonischen.
Kan de Ingangsstroomvervormingsfactor negatief zijn?
{YesorNo}, de Ingangsstroomvervormingsfactor, gemeten in {OutputVariableMeasurementName} {CanorCannot} moet negatief zijn.
© 2024-2025. Developed & Maintained by softUsvista Inc.
Copied!